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1. (WO2015129091) 結晶育成用るつぼおよびそれを備えた結晶育成装置ならびに結晶育成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129091 国際出願番号: PCT/JP2014/077016
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 08.10.2014
IPC:
C30B 11/00 (2006.01) ,C30B 29/12 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
11
ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
12
ハロゲン化物
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
発明者:
神田 喬之 KANDA Takayuki; JP
小南 信也 KOMINAMI Shinya; JP
上野 雄一郎 UENO Yuichiro; JP
石津 崇章 ISHITSU Takafumi; JP
清野 知之 SEINO Tomoyuki; JP
高橋 勲 TAKAHASHI Isao; JP
代理人:
特許業務法人開知国際特許事務所 KAICHI IP; 東京都中央区日本橋室町四丁目3番16号 3-16, Nihonbashi-muromachi 4-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030022, JP
優先権情報:
2014-03637527.02.2014JP
発明の名称: (EN) CRUCIBLE FOR CRYSTAL GROWTH, CRYSTAL GROWTH APPARATUS PROVIDED THEREWITH, AND METHOD FOR GROWING CRYSTALS
(FR) CREUSET POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX, APPAREIL POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX QUI EN EST ÉQUIPÉ, ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX
(JA) 結晶育成用るつぼおよびそれを備えた結晶育成装置ならびに結晶育成方法
要約:
(EN)  A crucible provided with a holding section (12) for holding a raw material (20), an initial distillate recovery section (14) for recovering an initial distillate (24) when the raw material (20) held in the holding section (12) has been vaporized, a main distillate condensing section (16) for condensing a main distillate when the raw material (20) held in the holding section (12) has been vaporized, and a crystal growing section (18) for holding the main distillate (30) comprising a raw material melt (28) condensed by the main distillate condensing section (16) and producing crystals when crystals are grown from the held main distillate (30) is used as a crucible (10) for crystal growth used to grow crystals. This makes it possible to raise the efficiency of manufacturing crystals while achieving high purification of a raw material for semiconductor crystals.
(FR)  L'invention concerne un creuset muni d'une section de contention (12) pour contenir une matière première (20), une section de récupération de distillat initial (14) pour récupérer un distillat initial (24) lorsque la matière première (20) contenue dans la section de contention (12) a été vaporisée, une section de condensation de distillat principal (16) pour condenser un distillat principal lorsque la matière première (20) contenue dans la section de contention (12) a été vaporisée, et une section de croissance de cristaux (18) pour contenir le distillat principal (30) comprenant une masse fondue de matière première (28) condensée par la section de condensation de distillat principal (16) et produisant des cristaux lorsque l'on fait croître des cristaux à partir du distillat principal contenu (30), utilisée comme creuset pour la croissance des cristaux (10) utilisée pour faire croître des cristaux. L'invention permet d'accroître l'efficacité de la production de cristaux tout en permettant une purification élevée d'une matière première pour cristaux de semi-conducteur.
(JA)  結晶育成に用いる結晶育成用るつぼ10として、原料20を保持する保持部12、保持部12に保持された原料20を気化させたときの初留24を回収する初留回収部14、保持部12に保持された原料20を気化させたときの本留を凝縮させる本留凝縮部16、本留凝縮部16で凝縮させた原料融液28からなる本留30を保持し、保持した本留30から結晶を育成する際に結晶を生成するための結晶育成部18とを備えるるつぼを用いる。これにより、半導体結晶の原料の高純度化を図りながら、結晶の製造効率を高めることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20160348270EP3112503CN106062258