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1. (WO2015129021) 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129021 国際出願番号: PCT/JP2014/055038
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 28.02.2014
予備審査請求日: 26.06.2014
IPC:
H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド UNISANTIS ELECTRONICS SINGAPORE PTE. LTD. [SG/SG]; ノースブリッジロード 111、ペニンシュラ プラザ #16-04 111, North Bridge Road, #16-04, Peninsula Plaza 179098, SG (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
舛岡 富士雄 MASUOKA Fujio [JP/JP]; JP (US)
中村 広記 NAKAMURA Hiroki [JP/JP]; JP (US)
発明者:
舛岡 富士雄 MASUOKA Fujio; JP
中村 広記 NAKAMURA Hiroki; JP
代理人:
辻居 幸一 TSUJII Koichi; 東京都千代田区丸の内3丁目3番1号 新東京ビル 中村合同特許法律事務所 NAKAMURA & PARTNERS, Shin-Tokyo Bldg., 3-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008355, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Provided are a structure and a manufacturing method for a storage device that allow resetting to be performed using a reset gate, and the cross-sectional areas of phase-change films and lower electrodes to be reduced in the direction of flow of an electric current, this being achieved by the storage device being characterized in that storage elements are arranged in two or more rows and two or more columns, the storage elements having columnar insulator layers (180-183), phase-change films (189-192) formed around the upper portions of the columnar insulator layers, lower electrodes (184-187) formed around the lower portions of the columnar insulator layers and connected to the phase-change films, a reset gate insulating film (197) that surrounds the phase-change films, and a reset gate (198) that surrounds the reset gate insulating film, the reset gate being connected in the row direction and in the column direction, the storage device also being characterized in that the reset gate is a heater.
(FR) L'invention porte sur une structure et un procédé de fabrication pour un dispositif de stockage qui permettent à une réinitialisation d'être effectuée à l'aide d'une grille de réinitialisation, et aux zones de section transversale de films à changement de phase et d'électrodes inférieures d'être réduites dans la direction d'écoulement d'un courant électrique, cela étant obtenu par le dispositif de stockage qui est caractérisé par le fait que des éléments de stockage sont disposés en au moins deux rangées et au moins deux colonnes, les éléments de stockage ayant des couches d'isolant en colonne (180-183), des films à changement de phase (189-192) formés autour des parties supérieures des couches d'isolant en colonne, des électrodes inférieures (184-187) formées autour des parties inférieures des couches d'isolant en colonnes et connectées aux films à changement de phase, un film isolant de grille de réinitialisation (197) qui entoure les films à changement de phase, et une grille de réinitialisation (198) qui entoure le film isolant de grille de réinitialisation, la grille de réinitialisation étant reliée dans la direction de rangée et dans la direction de colonne, le dispositif de stockage étant également caractérisé par le fait que la grille de réinitialisation est un dispositif chauffant.
(JA) 柱状絶縁体層(180-183)と,前記柱状絶縁体層の上部の周囲に形成された相変化膜(189-192)と,前記柱状絶縁体層の下部の周囲に形成され,前記相変化膜と接続する下部電極(184-187)と,前記相変化膜を取り囲むリセットゲート絶縁膜(197)と,前記リセットゲート絶縁膜を取り囲むリセットゲート(198)とを有する記憶素子が2行以上2列以上配置されており,前記リセットゲートが行方向且つ列方向に接続されていることを特徴とし,前記リセットゲートがヒーターであることを特徴とする記憶装置により,リセットゲートを用いてリセットを行うことができ,相変化膜,下部電極の電流が流れる方向の断面積を小さくすることができる記憶装置の構造及び製造方法を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015129021