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1. (WO2015128975) パワーモジュールおよび電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/128975 国際出願番号: PCT/JP2014/054757
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 26.02.2014
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70
バイポーラ装置
72
トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739
電界効果により制御されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
発明者:
久本 大 HISAMOTO, Digh; JP
大西 正己 OHNISHI, Masami; JP
代理人:
筒井 大和 TSUTSUI, Yamato; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 筒井国際特許事務所 Tsutsui & Associates, 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) POWER MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) MODULE DE COURANT ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT
(JA) パワーモジュールおよび電力変換装置
要約:
(EN)  A power module has a chip group (3) comprising a plurality of semiconductor chips (6), and a chip group input terminal (8) into which a signal to be sent to the chip group (3) is inputted. The chip group input terminal (8) is provided at a position overlapping the chip group (3) in plan view. Each of the semiconductor chips (6) includes a switching element (13) including a gate electrode (15) formed on a semiconductor substrate (12), and an electrode terminal (11) formed on the semiconductor substrate (12) and electrically connected to the gate electrode (15). The electrode terminal (11) is disposed further toward the chip group input terminal (8) relative to the center of the semiconductor substrate (12) in plan view, and electrically connected to the chip group input terminal (8).
(FR)  L'invention porte sur un module de courant qui possède un groupe de puces (3) comprenant une pluralité de puces semi-conductrices (6), et une borne d'entrée de groupe de puces (8) dans laquelle un signal à envoyer au groupe de puces (3) est entré. La borne d'entrée de groupe de puces (8) est disposée au niveau d'un emplacement chevauchant le groupe de puces (3) dans une vue en plan. Chacune des puces semi-conductrices (6) comprend un élément de commutation (13) comprenant une électrode de grille (15) formée sur un substrat semi-conducteur (12), et une borne d'électrode (11) formée sur le substrat semi-conducteur (12) et connectée électriquement à l'électrode de grille (15). La borne d'électrode (11) est disposée plus vers la borne d'entrée de groupe de puces (8) par rapport au centre du substrat semi-conducteur (12) dans une vue en plan, et connectée électriquement à la borne d'entrée de groupe de puces (8).
(JA)  パワーモジュールは、複数の半導体チップ(6)からなるチップ群(3)と、チップ群(3)に送られる信号が入力されるチップ群入力端子(8)と、を有する。チップ群入力端子(8)は、平面視において、チップ群(3)と重なる位置に設けられている。複数の半導体チップ(6)の各々は、半導体基板(12)上に形成されたゲート電極(15)を含むスイッチング素子(13)と、半導体基板(12)上に形成され、ゲート電極(15)と電気的に接続された電極端子(11)と、を含む。電極端子(11)は、平面視において、半導体基板(12)の中心よりもチップ群入力端子(8)側に配置され、かつ、チップ群入力端子(8)と電気的に接続されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)