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1. (WO2015128920) EL表示装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/128920 国際出願番号: PCT/JP2014/006425
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 24.12.2014
IPC:
G09G 3/30 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,G09G 3/20 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
G
静的手段を用いて可変情報を表示する表示装置の制御のための装置または回路
3
陰極線管以外の可視的表示器にのみ関連した,制御装置または回路
20
マトリックス状に配置された個々の要素の組み合わせによりその集合を構成することによって多数の文字の集合,例.1頁,を表示するためのもの
22
制御された光源を用いるもの
30
エレクトロルミネッセントパネルを用いるもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
G
静的手段を用いて可変情報を表示する表示装置の制御のための装置または回路
3
陰極線管以外の可視的表示器にのみ関連した,制御装置または回路
20
マトリックス状に配置された個々の要素の組み合わせによりその集合を構成することによって多数の文字の集合,例.1頁,を表示するためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32
光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人:
株式会社JOLED JOLED INC. [JP/JP]; 東京都千代田区神田錦町三丁目23番地 23, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054, JP
発明者:
石津 勝之 ISHIZU, Katsuyuki; null
代理人:
吉川 修一 YOSHIKAWA, Shuichi; JP
優先権情報:
2014-03375125.02.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) EL表示装置の製造方法
要約:
(EN)  The purpose of the present invention is to specify, when a pixel defect is found in a lighting inspection process, whether the cause of the defect is due to a defect in a thin-film transistor (TFT) or a defect in an organic electroluminescent (EL) light-emitting layer. A current supplied from a drive transistor (11a) to an EL element (15) is stopped by turning off transistors (11b, 11d) that turn on when an image is displayed, and a transistor (11c) is turned on, whereby a Vini voltage is applied to the EL element (15) and the light-emitting state of the EL element (15) is optically detected. Furthermore, the transistor (11c) is turned off and the transistors (11b, 11d) are turned on, whereby a current is supplied from the drive transistor (11a) to the EL element (15) and the light-emitting state of the EL element (15) is optically detected. The cause of a pixel defect is specified by these detections.
(FR)  La présente invention a pour but de spécifier, lorsqu'un défaut de pixel est trouvé dans un procédé d'inspection d'éclairage, si la cause du défaut est due à un défaut dans un transistor à film mince (TFT) ou à un défaut dans une couche d'émission de lumière électroluminescente (EL) organique. Un courant fourni à partir d'un transistor d'attaque (11a) à un élément EL (15) est arrêté par l'extinction de transistors (11b, 11d) qui s'allument lorsqu'une image est affichée, et un transistor (11c) est allumé, suite à quoi une tension Vini est appliquée à l'élément EL (15) et l'état d'émission de lumière de l'élément EL (15) est détecté optiquement. En outre, le transistor (11c) est éteint et les transistors (11b, 11d) sont allumés, suite à quoi un courant est fourni à partir du transistor d'attaque (11a) à l'élément EL (15) et l'état d'émission de lumière de l'élément EL (15) est détecté optiquement. La cause d'un défaut de pixel est spécifiée par ces détections.
(JA)  本発明は、点灯検査工程で画素に欠陥があった場合に、その原因がTFTの欠陥によるものか、有機EL発光層の欠陥によるものかを特定することを目的とする。 画像表示時に動作するトランジスタ(11b、11d)を停止させることにより、駆動用トランジスタ(11a)からEL素子(15)に供給される電流を停止すると共に、トランジスタ(11c)を動作させることにより、Vini電圧をEL素子(15)に印加し、EL素子(15)の発光状態を光学的に検出する。また、トランジスタ(11c)をオフさせると共に、トランジスタ(11b、11d)を動作させて、駆動用トランジスタ(11a)からEL素子(15)に電流を供給し、EL素子(15)の発光状態を光学的に検出する。これらの検出によって、画素の欠陥原因を特定する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170005298JPWO2015128920