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1. WO2015087466 - 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法

公開番号 WO/2015/087466
公開日 18.06.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/004243
国際出願日 20.08.2014
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H01L 23/532 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
532材料に特徴のあるもの
CPC
H01L 23/53228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
53204Conductive materials
53209based on metals, e.g. alloys, metal silicides
53228the principal metal being copper
H01L 23/53238
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
53204Conductive materials
53209based on metals, e.g. alloys, metal silicides
53228the principal metal being copper
53238Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
H01L 27/3246
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3244Active matrix displays
3246Pixel defining structures, e.g. banks
H01L 27/3248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3244Active matrix displays
3248Connection of the pixel electrode to the TFT
出願人
  • 株式会社JOLED JOLED INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 齋藤 徹 SAITO, Toru
代理人
  • 吉川 修一 YOSHIKAWA, Shuichi
優先権情報
2013-25551010.12.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD FOR THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法
要約
(EN)
Provided is a thin film transistor substrate (1) comprising a thin film transistor (DrTr) that includes an oxide semiconductor layer (5), a source electrode (7S), and a drain electrode (7D). The thin film transistor substrate (1) additionally comprises: first wiring (9) that is formed in a layer that is above the layer in which the source electrode (7S) and the drain electrode (7D) are formed and that is connected to at least one of the source electrode (7S) and the drain electrode (7D); and a terminal (12) that is formed in a layer that is above the layer in which the first wiring (9) is formed and that is connected to the first wiring (9). The source electrode (7S) or the drain electrode (7D) that is connected to the first wiring (9) contains copper. The first wiring (9) is a layered film that comprises a first film (9a) (a transparent conductive film), a second film (9b) (a copper film), and a third film (9c) (a copper-manganese alloy film) that are layered in this order from bottom to top. The terminal (12) comprises an aluminum alloy.
(FR)
L’invention porte sur un substrat de transistor en couches minces (1) comportant un transistor en couches minces (DrTr) qui comprend une couche de semi-conducteur d’oxyde (5), une électrode de source (7S) et une électrode déversoir (7D). Le substrat de transistor en couches minces (1) comporte de plus : un premier câblage (9) qui est formé dans une couche qui est au-dessus de la couche dans laquelle l’électrode de source (7S) et l’électrode déversoir (7D) sont formées et qui est connecté à l’électrode de source (7S) et/ou à l’électrode déversoir (7D) ; une borne (12) qui est formée dans une couche qui est au-dessus de la couche dans laquelle le premier câblage (9) est formé et qui est connectée au premier câblage (9). L’électrode de source (7S) ou l’électrode déversoir (7D) qui est connectée au premier câblage (9) contient du cuivre. Le premier câblage (9) est un film stratifié qui comprend un premier film (9a) (un film conducteur transparent), un second film (9b) (un film de cuivre) et un troisième film (9c) (un film d’alliage de cuivre-manganèse) qui sont stratifiés dans cet ordre depuis le bas vers le haut. La borne (12) comporte un alliage d’aluminium.
(JA)
 薄膜トランジスタ基板は、酸化物半導体層(5)とソース電極(7S)及びドレイン電極(7D)とを含む薄膜トランジスタ(DrTr)を有するTFT基板(1)であって、ソース電極(7S)及びドレイン電極(7D)が形成された層よりも上層に形成され、かつ、ソース電極(7S)及びドレイン電極(7D)の少なくとも一方に接続された第1配線(9)と、第1配線(9)が形成された層よりも上層に形成され、かつ、第1配線(9)に接続された端子(12)とを有し、ソース電極(7S)及びドレイン電極(7D)のうち第1配線(9)に接続された方は、銅を含み、第1配線(9)は、第1の膜(9a)(透明導電膜)と第2の膜(9b)(銅膜)と第3の膜(9c)(銅マンガン合金膜)とが下から上にこの順序で積層された積層膜であり、端子(12)は、アルミニウム合金からなる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報