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1. (WO2015076166) 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2015/076166    国際出願番号:    PCT/JP2014/079996
国際公開日: 28.05.2015 国際出願日: 12.11.2014
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: OOSE, Naoyuki; (JP).
IMAI, Fumikazu; (JP).
NAKAJIMA, Tsunehiro; (JP).
FUKUDA, Kenji; (JP).
HARADA, Shinsuke; (JP).
OKAMOTO, Mitsuo; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
優先権情報:
2013-242367 22.11.2013 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)In order to form an ohmic electrode (8) on a rear surface of an n-type SiC substrate (1), an n+-type semiconductor region (7) is formed on a surface layer of a rear surface of an n-type epitaxial substrate by means of ion implantation. In the ion implantation, an n-type impurity is implanted with an acceleration energy within a range of 30-150 keV such that the impurity concentration of the n+-type semiconductor region (7) is not less than 1×1019/cm3 but not more than 8×1020/cm3, preferably, not more than 4×1020/cm3, and the thickness of the n+-type semiconductor region (7) is approximately equal to or less than 200 nm. Then, a nickel layer and a titanium layer are sequentially formed on a surface of the n+-type semiconductor region (7), the nickel layer is silicified by means of heat treatment, and the ohmic electrode (8) is formed of nickel silicide. Consequently, peeling of the rear surface electrode can be suppressed, and the rear surface electrode having excellent characteristics can be formed.
(FR)Selon la présente invention, de manière à former une électrode ohmique (8) sur une surface arrière d'un substrat en carbure de silicium (SiC) du type n (1), une zone semi-conductrice du type n+ (7) est formée sur une couche de surface d'une surface arrière d'un substrat épitaxial du type n au moyen d'une implantation ionique. Dans l'implantation ionique, une impureté du type n est implantée avec une énergie d'accélération comprise dans une plage de 30-150 keV de manière que la concentration en impureté de la zone semi-conductrice du type n+ (7) soit supérieure ou égale à 1×1019/cm3 mais inférieure ou égale à 8×1020/cm3, de préférence, inférieure ou égale à 4×1020/cm3, et l'épaisseur de la zone semi-conductrice du type n+ (7) soit approximativement égale à 200 nm ou moins. Ensuite, une couche de nickel et une couche de titane sont séquentiellement formées sur une surface de la zone semi-conductrice du type n+ (7), la couche de nickel est siliciurée au moyen d'un traitement thermique, et l'électrode ohmique (8) est formée de siliciure de nickel. En conséquence, un décollement de l'électrode de surface arrière peut être supprimé, et une électrode de surface arrière possédant d'excellentes caractéristiques peut être formée.
(JA) n型SiC基板(1)の裏面にオーミック電極(8)を形成するにあたって、イオン注入により、n型エピタキシャル基板の裏面の表面層にn+型半導体領域(7)を形成する。このイオン注入では、n+型半導体領域(7)の不純物濃度が1×1019/cm3以上8×1020/cm3以下、好ましくは4×1020/cm3以下となり、かつn+型半導体領域(7)の厚さが200nm以下程度となるように、30keV以上150keV以下の範囲の加速エネルギーでn型不純物を注入する。その後、n+型半導体領域(7)の表面にニッケル層およびチタン層を順に形成し、熱処理によりニッケル層をシリサイド化してニッケルシリサイドからなるオーミック電極(8)を形成する。このようにすることで、裏面電極が剥離することを抑制することができるとともに、良好な特性を有する裏面電極を形成することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)