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1. (WO2015075988) 半導体レーザ素子及びそれを用いた近接場光出射装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2015/075988    国際出願番号:    PCT/JP2014/072414
国際公開日: 28.05.2015 国際出願日: 27.08.2014
IPC:
H01S 5/022 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-Cho, Abeno-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5458522 (JP)
発明者: TANI Kentaroh; .
KAWAKAMI Toshiyuki; .
ARIYOSHI Akira;
代理人: SANO PATENT OFFICE; 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
優先権情報:
2013-240971 21.11.2013 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND NEAR-FIELD LIGHT OUTPUT DEVICE USING SAME
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE SORTIE LUMINEUSE EN CHAMP PROCHE UTILISANT LEDIT ÉLÉMENT
(JA) 半導体レーザ素子及びそれを用いた近接場光出射装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor laser element (40) is provided with: a substrate (41) formed of a semiconductor; a semiconductor laminated film (42), which is laminated on the substrate (41), and which includes an active layer (42e); a first electrode (47) and a second electrode (48), which are provided on surfaces parallel to the active layer (42e) on the side where the semiconductor laminated film (42) is formed on the substrate (41); and an end surface protection film (55) that is provided on both the end surfaces (40a, 40b), which are perpendicular to the active layer (42e), and which face each other. In the semiconductor laser element, the end surface (40a) is used as a fixing surface for the semiconductor laser element (40), said end surface having the end surface protection film (55) formed thereon.
(FR)Un élément laser à semi-conducteur (40) comprend : un substrat (41) formé d'un semi-conducteur ; un film stratifié semi-conducteur (42), stratifié sur le substrat (41), et comprenant une couche active (42e) ; une première électrode (47) et une seconde électrode (48), disposées sur des surfaces parallèles à la couche active (42e) du côté où le film stratifié semi-conducteur (42) est formé sur le substrat (41) ; et un film de protection de surface d'extrémité (55), disposé sur les deux surfaces d'extrémité (40a, 40b), perpendiculaires à la couche active (42e) et se faisant mutuellement face. Dans ledit élément laser à semi-conducteur, la surface d'extrémité (40a) sert de surface de fixation pour l'élément laser à semi-conducteur (40), le film de protection de surface d'extrémité (55) étant formé sur ladite surface d'extrémité.
(JA) 半導体から成る基板41と、基板41上に積層されるとともに活性層42eを含む半導体積層膜42と、基板41に対して半導体積層膜42が形成された側の活性層42eに平行な面に設けられる第1電極47及び第2電極48と、活性層42eに垂直な対向する両端面40a、40bに設けられる端面保護膜55とを備えた半導体レーザ素子40において、端面保護膜55を形成した一方の端面40aを半導体レーザ素子40の固定面として使用した。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)