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1. (WO2015072210) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2015/072210    国際出願番号:    PCT/JP2014/073058
国際公開日: 21.05.2015 国際出願日: 02.09.2014
IPC:
H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: HAMADA Kenji; (JP).
IMAIZUMI Masayuki; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
優先権情報:
2013-234581 13.11.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, which is capable of reducing the on-resistance. According to the present invention, a drift layer (12) is formed on a substrate (11). An ion implantation layer (13) is formed in the drift layer surface. In addition, an excess carbon region (31) is formed within the drift layer, and the drift layer is heated. In cases where an excess carbon region is formed, the excess carbon region is formed in a region that is positioned deeper than the interface between the ion implantation layer and the drift layer. In cases where the drift layer is heated, an activated layer (113) is formed by activating impurity ions in the ion implantation layer, and interstitial carbon atoms are diffused in the activated layer-side portion.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur, qui peut réduire la résistance à l'état passant. Selon la présente invention, une couche de dérive (12) est formée sur un substrat (11). Une couche d'implantation ionique (13) est formée dans la surface de couche de dérive. De plus, une zone de carbone en excès (31) est formée dans la couche de dérive, et la couche de dérive est chauffée. Dans les cas où la zone de carbone en excès est formée, la zone de carbone en excès est formée dans une zone qui est positionnée plus en profondeur que l'interface entre la couche d'implantation ionique et la couche de dérive. Dans les cas où la couche de dérive est chauffée, une couche activée (113) est formée par activation d'ions d'impuretés dans la couche d'implantation ionique, et des atomes de carbone interstitiels sont diffusés dans la partie côté couche activée.
(JA) 本発明は、オン抵抗の低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。本発明は、基板(11)上にドリフト層(12)を形成する。また、ドリフト層表面にイオン注入層13を形成する。また、ドリフト層内に余剰炭素領域31を形成する。また、ドリフト層を加熱する。余剰炭素領域を形成する場合、イオン注入層とドリフト層との界面よりも深い領域に余剰炭素領域を形成する。ドリフト層を加熱する場合、イオン注入層の不純物イオンを活性化させて活性化層113を形成し、格子間炭素原子を活性化層側に拡散させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)