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1. (WO2015072136) SiC単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2015/072136    国際出願番号:    PCT/JP2014/005671
国際公開日: 21.05.2015 国際出願日: 12.11.2014
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C30B 19/04 (2006.01)
出願人: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008071 (JP)
発明者: KUSUNOKI, Kazuhiko; (JP).
KAMEI, Kazuhito; (JP)
代理人: ASCEND IP LAW FIRM; 5-17, Dojima 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300003 (JP)
優先権情報:
2013-234281 12.11.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SiC MONOCRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SiC
(JA) SiC単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for producing an SiC monocrystal by means of a solution growth method, wherein it is possible to grow a SiC monocrystal doped with Al even if a graphite crucible is used. The method of production contains: a step for generating an Si-C solution in a graphite crucible; and a step for contacting an SiC seed crystal to the Si-C solution, causing the growth of an SiC monocrystal on the SiC seed crystal. The Si-C solution contains Si, Al, and Cu in ranges satisfying formula (1), and the remainder of the Si-C solution comprises C and impurities. In formula (1), [Si], [Al], and [Cu] respectively represent the mol% content of Si, Al, and Cu. 0.03 < [Cu]/([Si] + [Al] + [Cu]) ≤ 0.5 (1).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal de SiC au moyen d'un procédé de développement en solution, caractérisé en ce qu'il est possible de développer un monocristal de SiC dopé avec de l'Al même si l'on utilise un creuset en graphite. Le procédé de production contient : une étape pour produire une solution de Si-C dans un creuset en graphite; et une étape de mise en contact d'un germe cristallin de SiC avec la solution de Si-C, provoquant le développement d'un monocristal de SiC sur le germe cristallin de SiC. La solution de Si-C contient Si, Al et Cu dans des plages satisfaisant la formule (1) et le reste de la solution de Si-C comprend C et des impuretés. Dans la formule (1), [Si], [Al] et [Cu] représentent respectivement la teneur en % molaire de Si, Al et Cu. 0,03 < [Cu]/([Si] + [Al] + [Cu]) ≤ 0,5 (1).
(JA) 溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、黒鉛坩堝を用いてもAlがドープされたSiC単結晶を成長させることができる製造方法を提供する。本実施形態による製造方法は、Si-C溶液を黒鉛坩堝内で生成する工程と、Si-C溶液にSiC種結晶を接触させて、SiC種結晶上にSiC単結晶を成長させる工程とを含む。Si-C溶液は、Si、AlおよびCuを式(1)を満たす範囲で含有し、Si-C溶液の残部は、Cおよび不純物からなる。式(1)において、[Si]、[Al]、および[Cu]には、それぞれ、Si、AlおよびCuのモル%含有量を表す。 0.03<[Cu]/([Si]+[Al]+[Cu])≦0.5 (1)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)