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1. (WO2015072064) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2015/072064    国際出願番号:    PCT/JP2014/005076
国際公開日: 21.05.2015 国際出願日: 06.10.2014
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP)
発明者: GOUDA, Kenta; (JP)
代理人: KIN, Junhi; (JP)
優先権情報:
2013-234260 12.11.2013 JP
発明の名称: (EN) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)This insulated gate bipolar transistor is provided with: a drift layer (1) configured from an N conductivity-type semiconductor substrate (1S); a P conductivity-type collector layer (4) that is formed in a surface layer portion on the rear surface side of the semiconductor substrate; and an N conductivity-type field-stop layer (6), which is formed between the drift layer and the collector layer, and which has a higher impurity concentration than the drift layer. In the thickness direction of the semiconductor substrate, a life time controlled layer (5) is formed with a predetermined half value width by means of helium ion implantation, and the field-stop layer is formed with a predetermined half value width by means of hydrogen ion implantation. It is configured such that a half value width region of the life time controlled layer and a half value width region of the field-stop layer overlap each other.
(FR)La présente invention concerne un transistor bipolaire à grille isolée qui est pourvu: d'une couche de migration (1) configurée à partir d'un substrat semi-conducteur du type de conductivité N (1S); d'une couche de collecteur du type de conductivité P (4) qui est formée dans une partie de couche de surface côté surface arrière du substrat semi-conducteur; et d'une couche d'arrêt de champ du type de conductivité N (6), qui est formée entre la couche de migration et la couche de collecteur, et qui possède plus haute une concentration en impuretés que la couche de migration. Dans la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur, une couche de limitation de durée de vie (5) est formée avec une largeur à mi-hauteur prédéterminée au moyen d'une implantation d'ions hélium, et la couche d'arrêt de champ est formée avec une largeur à mi-hauteur prédéterminée au moyen d'une implantation d'ions hydrogène. La configuration est telle qu'une région de largeur à mi-hauteur de la couche de limitation de durée de vie et une région de largeur à mi-hauteur de la couche d'arrêt de champ se chevauchent.
(JA) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、N導電型の半導体基板(1S)からなるドリフト層(1)と、半導体基板の裏面側の表層部に形成されたP導電型のコレクタ層(4)と、ドリフト層とコレクタ層の間に形成されたN導電型でドリフト層より不純物濃度が高いフィールドストップ層(6)と、を備える。半導体基板の厚さ方向において、ライフタイム制御層(5)が、ヘリウムのイオン注入により、所定の半値幅で形成されるとともに、フィールドストップ層が、水素のイオン注入により、所定の半値幅で形成されている。ライフタイム制御層の半値幅領域とフィールドストップ層の半値幅領域とが、重なるように構成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)