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1. (WO2015071982) 記憶装置、及び記憶装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2015/071982    国際出願番号:    PCT/JP2013/080719
国際公開日: 21.05.2015 国際出願日: 13.11.2013
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
出願人: UNISANTIS ELECTRONICS SINGAPORE PTE. LTD. [SG/SG]; 111, North Bridge Road, #16-04, Peninsula Plaza, 179098 (SG) (米国を除く全ての指定国).
MASUOKA Fujio [JP/JP]; (JP) (US only).
NAKAMURA Hiroki [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: MASUOKA Fujio; (JP).
NAKAMURA Hiroki; (JP)
代理人: KIMURA Mitsuru; 2nd Floor, Kyohan Building, 7, Kandanishiki-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) STORAGE DEVICE AND STORAGE DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE ET MÉTHODE DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 記憶装置、及び記憶装置の製造方法
要約: front page image
(EN)This storage device has: a columnar insulating material layer (180); a film (189), which is formed around an upper portion of the columnar insulating material layer, and in which resistance changes; a lower electrode (184), which is formed around a lower portion of the columnar insulating material layer, and which is connected to the variable resistance film; a reset gate insulating film (197) that surrounds the variable resistance film; and a reset gate (198a) that surrounds the reset gate insulating film. Consequently, a structure of the storage device, which is capable performing resetting using the reset gate, and which has reduced cross sectional areas of the variable resistance film and the lower electrode, said cross sectional areas being in the direction in which a current flows, and a method for manufacturing the storage device are provided.
(FR)Selon l'invention, un dispositif de stockage comprend : une couche de matériau isolant en forme de colonne (180); un film (189), qui est formé autour d'une partie supérieure de la couche de matériau isolant en forme de colonne, et dans lequel la résistance change; une électrode inférieure (184), qui est formée autour d'une partie inférieure de la couche de matériau isolant en forme de colonne, et qui est connectée au film à résistance variable; un film isolant de grille de réinitialisation (197) qui entoure le film à résistance variable; et une grille de réinitialisation (198a) qui entoure le film isolant de grille de réinitialisation. Par conséquent, l'invention concerne une structure du dispositif de stockage, qui est capable d'effectuer une réinitialisation en utilisant la grille de réinitialisation, et qui a des aires de section transversale réduites pour le film à résistance variable et l'électrode inférieure, lesdites aires de section transversale étant dans la direction dans laquelle un courant circule, et une méthode de fabrication du dispositif de stockage.
(JA)柱状絶縁体層(180)と,前記柱状絶縁体層の上部の周囲に形成された抵抗が変化する膜(189)と,前記柱状絶縁体層の下部の周囲に形成され,前記抵抗が変化する膜と接続する下部電極(184)と,前記抵抗が変化する膜を取り囲むリセットゲート絶縁膜(197)と,前記リセットゲート絶縁膜を取り囲むリセットゲート(198a)とを有する記憶装置により,リセットゲートを用いてリセットを行うことができ,抵抗が変化する膜,下部電極の電流が流れる方向の断面積を小さくすることができる記憶装置の構造及び製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)