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1. (WO2015064354) 太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2015/064354    国際出願番号:    PCT/JP2014/077328
国際公開日: 07.05.2015 国際出願日: 14.10.2014
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01)
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
発明者: OGANE, Akiyoshi;
代理人: NII Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg., 3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2013-227927 01.11.2013 JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL
(FR) PHOTOPILE
(JA) 太陽電池
要約: front page image
(EN)Provided is a solar cell, wherein generation of a leak current due to a contact between a p-type amorphous silicon film and an n-type amorphous silicon film is eliminated, and cell characteristics are improved. This solar cell is provided with: an n-type crystalline silicon substrate (10), which has a first main surface (11), and a second main surface (12) that is provided on the reverse side of the first main surface (11); an n-type amorphous silicon film (31) that is provided on the first main surface (11) side; and a p-type amorphous silicon film (32) that is provided on the second main surface (12) side. A slope region (31a) having the thickness thereof reduced toward an end section (31b) of the n-type amorphous silicon film (31) is formed, said end section being in the surface direction of the n-type amorphous silicon film, such that the thickness of the end section (31b) is less than a thickness (t0) of a center section in the surface direction.
(FR)L'invention concerne une photopile dans laquelle la génération d'un courant de fuite en raison d'un contact entre un film de silicium amorphe du type p et un film de silicium amorphe du type n est éliminée, et des caractéristiques de cellule sont améliorées. Cette photopile est pourvue : d'un substrat en silicium cristallin du type n (10), qui comprend une première surface principale (11) et une seconde surface principale (12) qui est située du côté opposé de la première surface principale (11); d'un film de silicium amorphe du type n (31) qui est situé côté première surface principale (11); et d'un film de silicium amorphe du type p (32) qui est situé côté seconde surface principale (12). Une région à pente (31a) dont l'épaisseur est réduite vers une section d'extrémité (31b) du film de silicium amorphe du type n (31) est formée, ladite région d'extrémité étant dans la direction de surface du film de silicium amorphe du type n, de manière que l'épaisseur de la section d'extrémité (31b) soit inférieure à une épaisseur (t0) d'une section centrale dans la direction de surface.
(JA) p型非晶質シリコン膜とn型非晶質シリコン膜の接触によるリーク電流の発生を防止することができ、かつセル特性を向上させることができる太陽電池を提供する。 第1の主面11、及び第1の主面11と反対側に設けられる第2の主面12を有するn型結晶シリコン基板10と、第1の主面11側に設けられるn型非晶質シリコン膜31と、第2の主面12側に設けられるp型非晶質シリコン膜32とを備え、n型非晶質シリコン膜31の面方向における端部31bの厚みが、面方向の中央部の厚みtより薄くなるように、端部31bに向かって厚みが薄くなる傾斜領域31aが形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)