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1. WO2015025922 - マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法

公開番号 WO/2015/025922
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/071886
国際出願日 21.08.2014
IPC
G03F 1/32 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
G03F 7/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
30Imagewise removal using liquid means
32Liquid compositions therefor, e.g. developers
出願人
  • 大日本印刷株式会社 DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 1-1, Ichigaya-kagacho 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1628001, JP
発明者
  • 安達 俊 ADACHI, Takashi; JP
  • 三浦 陽一 MIURA, Youichi; JP
  • 高見澤 秀吉 TAKAMIZAWA, Hideyoshi; JP
  • 早野 勝也 HAYANO, Katsuya; JP
  • 大川 洋平 OHKAWA, Youhei; JP
  • 渡邊 浩司 WATANABE, Hiroshi; IT
  • 谷 絢子 TANI, Ayako; JP
代理人
  • 山下 昭彦 YAMASHITA, Akihiko; JP
優先権情報
2013-17176621.08.2013JP
2014-07030528.03.2014JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MASK BLANK, MASK BLANK WITH NEGATIVE RESIST FILM, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR PRODUCING PATTERNED BODY USING SAME
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, ÉBAUCHE DE MASQUE AVEC FILM DE RÉSERVE NÉGATIVE, MASQUE DE DÉPHASAGE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CORPS MODELÉ AU MOYEN DE CELUI-CI
(JA) マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法
要約
(EN)
The present invention provides a mask blank which is used for the production of a half-tone phase shift mask to which ArF excimer laser exposure light is applied. This mask blank is characterized by comprising: a transparent substrate; and a light semi-transmitting film which is formed on the transparent substrate and is composed only of Si and N, or a light semi-transmitting film which is formed on the transparent substrate and is composed only of Si, N and O. This mask blank is also characterized in that the light semi-transmitting film has an extinction coefficient within the range of 0.2-0.45 at the wavelength of the ArF excimer laser exposure light, a refractive index within the range of 2.3-2.7 at the wavelength of the ArF excimer laser exposure light, a light transmittance within the range of 15-38% at the wavelength of the ArF excimer laser exposure light, and a film thickness within the range of 57-67 nm.
(FR)
La présente invention concerne une ébauche de masque qui est utilisé pour la production d'un masque de déphasage à demi-teinte auquel une lumière d'exposition de laser excimère ArF est appliquée. Cette ébauche de masque est caractérisé en ce qu'elle comprend : un substrat transparent; et un film semi-transmetteur de lumière qui est formé sur le substrat transparent et est composé uniquement de Si et N, ou un film semi-transmetteur de lumière qui est formé sur le substrat transparent et est composé uniquement de Si, N et O. Cette ébauche de masque est également caractérisée en ce que le film semi-transmetteur de lumière a un coefficient d'extinction dans la plage de 0,2 à 0,45 à la longueur d'onde de la lumière d'exposition de laser excimère ArF, un indice de réfraction dans la plage de 2,3 à 2,7 à la longueur d'onde de la lumière d'exposition de laser excimère ArF, un facteur de transmission de lumière dans la plage de 15 à 38 % à la longueur d'onde de la lumière d'exposition de laser excimère ArF, et une épaisseur de film dans la plage de 57 à 67 nm.
(JA)
 本発明は、ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを製造するために用いられるマスクブランクスであって、透明基板と、前記透明基板上に形成され、SiおよびNのみからなる光半透過膜、またはSi、N、およびOのみからなる光半透過膜と、を有し、前記光半透過膜は、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.2~0.45の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.3~2.7の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が15%~38%の範囲内であり、さらに、膜厚が57nm~67nmの範囲内であることを特徴とするマスクブランクスを提供することにより、上記課題を解決する。
他の公開
DE1120140038490
国際事務局に記録されている最新の書誌情報