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1. WO2015025809 - 酸化装置

公開番号 WO/2015/025809
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/071541
国際出願日 18.08.2014
IPC
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01S 5/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
CPC
C30B 33/005
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
005Oxydation
C30B 35/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO.,LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1,Higashikotari 1-chome,Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者
  • 鈴木 新 SUZUKI Arata; JP
  • 植田 崇資 UEDA Takashi; JP
  • 關 仁士 SEKI Hitoshi; JP
代理人
  • 福永 正也 FUKUNAGA Masaya; JP
優先権情報
2013-17335723.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OXIDATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'OXYDATION
(JA) 酸化装置
要約
(EN)
Provided is an oxidation device capable of eliminating variations in the temperature distribution of a wafer to thereby uniformly progress oxidation. This oxidation device is provided with a chamber (1) the inside of which can be made airtight, a stage (2) on which a wafer (10) to be oxidized is mounted in the chamber (1), and an oxidation gas supply unit (20) which supplies oxidation gas into the chamber (1). The oxidation gas is steam gas vaporized by heating in a vacuum atmosphere, and the oxidation gas supply unit (20) supplies the steam gas into the chamber (2) the inside of which is under a vacuum atmosphere after controlling the flow rate thereof.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'oxydation en mesure d'éliminer des variations au niveau de la distribution de température d'une tranche pour ainsi faire progresser l'oxydation de manière uniforme. Le dispositif d'oxydation comporte une chambre (1) dont l'intérieur peut être rendu étanche, un étage (2) sur lequel une tranche (10) devant être oxydée est montée dans la chambre (1), et une unité d'alimentation en gaz d'oxydation (20) qui fournit du gaz d'oxydation dans la chambre (1). Le gaz d'oxydation est du gaz vapeur vaporisé par chauffage dans une atmosphère sous vide, et l'unité d'alimentation en gaz d'oxydation (20) fournit le gaz vapeur dans la chambre (2) dont l'intérieur est sous une atmosphère sous vide après la régulation de son débit.
(JA)
 ウェハの温度分布のバラツキをなくし、均一に酸化を進行させることが可能な酸化装置を提供する。 本発明に係る酸化装置は、内部を気密にすることが可能なチャンバ1と、チャンバ1の内部にて、酸化対象となるウェハ10を載置するステージ2と、酸化ガスをチャンバ1内へ供給する酸化ガス供給部20とを備える。酸化ガスは真空雰囲気中で加熱することにより気化した水蒸気ガスであり、酸化ガス供給部20は、水蒸気ガスを、内部を真空雰囲気としたチャンバ2内へ流量制御して供給する。
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