処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2015025783 - ガスバリアーフィルムの製造装置及びガスバリアーフィルムの製造方法

公開番号 WO/2015/025783
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/071357
国際出願日 13.08.2014
IPC
C23C 16/44 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
B32B 9/00 2006.01
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9本質的にグループB32B11/00~B32B29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
C23C 16/50 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
50放電を用いるもの
C23C 16/54 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
54連続被覆に特に適合した装置
CPC
C23C 16/308
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
308Oxynitrides
C23C 16/401
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
40Oxides
401containing silicon
C23C 16/509
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
50using electric discharges
505using radio frequency discharges
509using internal electrodes
C23C 16/545
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
54Apparatus specially adapted for continuous coating
545for coating elongated substrates
H01J 37/32669
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3266Magnetic control means
32669Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
H01J 37/3277
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32733Means for moving the material to be treated
32752for moving the material across the discharge
32761Continuous moving
3277of continuous material
出願人
  • コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
発明者
  • 門馬 千明 MOMMA, Chiaki; JP
  • 大石 清 OISHI, Kiyoshi; JP
  • 有田 浩了 ARITA, Hiroaki; JP
代理人
  • 特許業務法人光陽国際特許事務所 KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都千代田区有楽町一丁目1番3号 東京宝塚ビル17階 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
優先権情報
2013-17087021.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEVICE FOR PRODUCING GAS BARRIER FILM AND METHOD FOR PRODUCING GAS BARRIER FILM
(FR) DISPOSITIF DE PRODUCTION DE FILM BARRIÈRE CONTRE LES GAZ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM BARRIÈRE CONTRE LES GAZ
(JA) ガスバリアーフィルムの製造装置及びガスバリアーフィルムの製造方法
要約
(EN)
The present invention prevents a decrease in quality of a gas barrier film. A roller CVD device (20) is provided with: a vacuum chamber (200) having a pair of inner wall surfaces that oppose each other; film formation rollers that are disposed in a manner so as to form an electrical discharge space (H) therebetween and that cause a wound resin substrate (2) to be opposing with the electrical discharge space (H) therebetween; magnetic field generation devices (34, 35) that cause the generation of a magnetic field at the peripheral surface of the film formation rollers (31, 32); a plasma generation power source (33) that performs electrical discharge at the electrical discharge space (H); a gas supply opening (36) that is disposed above the electrical discharge space (H) and that supplies a film formation gas to the electrical discharge space (H); a gas exhaust opening (37) that is disposed at the region below the electrical discharge space (H) and that discharges the gas of the electrical discharge space (H) to outside the vacuum chamber (200); and a covering member (38) that covers an exposed region (R) of the peripheral surface of the film formation rollers (31, 32) that does not contact the resin substrate (2) and that neighbors in the peripheral direction the region of contact to the resin substrate (2).
(FR)
La présente invention empêche la diminution de qualité d'un film barrière contre les gaz. Un dispositif DCPV à rouleaux (20) est pourvu : d'une chambre à vide (200) comportant une paire de surfaces de paroi internes opposées ; des rouleaux de formation de film disposés de manière à former un espace de décharge électrique (H) entre eux et qui amènent entre eux un substrat de résine enroulé (2) à s'opposer à l'espace de décharge électrique (H) ; des dispositifs de formation de champ magnétique (34, 35) qui génèrent un champ magnétique au niveau de la surface périphérique des rouleaux de formation de film (31, 32) ; une source électrique de génération de plasma (33) qui provoque une décharge électrique au niveau de l'espace de décharge électrique (H) ; une ouverture d'alimentation en gaz (36) qui est disposée au-dessus de l'espace de formation de film et qui fournit un gaz de formation de film à l'espace de décharge électrique (H) ; une ouverture d'échappement de gaz (37) qui est disposée au niveau de la région située au-dessous de l'espace de décharge électrique (H) et qui évacue le gaz de l'espace de décharge électrique (H) vers l'extérieur de la chambre à vide (200) ; et un élément de recouvrement (38) qui recouvre une région exposée (R) de la surface périphérique des rouleaux de rotation de film (31, 32) qui ne sont pas en contact avec le substrat de résine (2) et qui avoisinent dans le sens périphérique la région de contact avec le substrat de résine (2).
(JA)
 ガスバリアーフィルムの品質低下を防止する。 ローラーCVD装置20は、対向する一対の内壁面を有する真空チャンバー200と、間に放電空間Hを形成するように配設され、巻き掛けられた樹脂基材2を、放電空間Hを介して対向させる成膜ローラー31、32と、成膜ローラー31、32の周面に磁場を発生させる磁場発生装置34,35と、放電空間Hに放電を行わせるプラズマ発生用電源33と、放電空間Hの上方に配設され成膜ガスを放電空間Hに供給するガス供給口36と、放電空間Hの下方領域に配設され、放電空間Hのガスを真空チャンバー200外に排出するガス排出口37と、成膜ローラー31、32の周面のうち樹脂基材2に当接せずに露出し、かつ樹脂基材2との当接領域に対して周方向で隣接する露出領域Rを覆う被覆部材38とを備える。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報