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1. WO2015025754 - ダイオード装置およびその製造方法

公開番号 WO/2015/025754
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/071154
国際出願日 11.08.2014
IPC
H01L 21/329 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
328バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程
329装置が1つまたは2つの電極からなるもの,例.ダイオード
H01L 29/861 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
86整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861ダイオード
H01L 29/866 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
86整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861ダイオード
866ツェナーダイオード
H01L 29/868 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
86整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861ダイオード
868PINダイオード
CPC
H01L 27/0814
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
0814Diodes only
H01L 29/66969
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66969of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
H01L 29/866
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
866Zener diodes
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者
  • 野村 雅信 NOMURA, Masanobu; JP
代理人
  • 梁瀬 右司 YANASE, Yuji; JP
優先権情報
2013-16945319.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DIODE DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF DE DIODE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ダイオード装置およびその製造方法
要約
(EN)
Provided is a highly reliable diode device in which it is possible to prevent the electrolysis of water in the vicinity of an edge of a pn junction interface of a thin-film diode when the device is used in a high-humidity environment. With an insulating layer (5) which is a moisture-resistant protective film, it is possible to prevent the infiltration of moisture in the vicinity of an edge of a pn junction interface (S). Thus, it is possible to provide a highly reliable diode device (100), because it is possible to prevent the production of hydrogen caused by the electrolysis of water in the vicinity of the edge of the pn junction interface (S) by an electric field created when a voltage is applied to the diode device (100), and thereby prevent degradation in characteristics of the thin-film diode caused by the reduction of oxide semiconductor materials and/or oxynitride semiconductor materials which form a first semiconductor layer (3) and a second semiconductor layer (4), and prevent the thin-film diode from malfunctioning.
(FR)
La présente invention porte sur un dispositif de diode très fiable dans lequel il est possible de prévenir l'électrolyse d'eau au voisinage d'un bord d'une interface de jonction pn d'une diode à couches minces quand le dispositif est utilisé dans un environnement à haute humidité. Avec une couche isolante (5) qui est un film protecteur résistant à l'humidité, il est possible de prévenir l'infiltration d'humidité au voisinage d'un bord d'une interface de jonction pn (S). Il est ainsi possible de produire un dispositif de diode (100) très fiable, étant donné qu'il est possible de prévenir la production d'hydrogène causée par l'électrolyse d'eau au voisinage du bord de l'interface de jonction pn (S) par un champ électrique créé quand une tension est appliquée au dispositif de diode (100), et ainsi de prévenir une dégradation de caractéristiques de la diode à couches minces causée par la réduction de matériaux semi-conducteurs oxydes et/ou de matériaux semi-conducteurs oxynitrures qui forment une première couche de semi-conducteur (3) et une seconde couche de semi-conducteur (4), et de prévenir un dysfonctionnement de la diode à couches minces.
(JA)
 高湿度環境下で使用されたときに薄膜ダイオードのpn接合界面の端縁付近で水の電気分解が生じるのを防止することができる信頼性の高いダイオード装置を提供する。 耐湿保護膜である絶縁層5によりpn接合界面Sの端縁付近に水分が浸入するのを防止することができるので、ダイオード装置100に電圧が印加されたときに生じる電界によりpn接合界面Sの端縁付近で水の電気分解が生じて水素が発生し、第1の半導体層3および第2の半導体層4のそれぞれを形成する酸化物半導体材料や酸窒化物半導体材料が還元されることにより薄膜ダイオードの特性が劣化したり、薄膜ダイオードが機能不全に陥るのを防止することができるので、信頼性の高いダイオード装置100を提供することができる。
他の公開
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