処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2015025665 - レジストパターンに塗布される塗布液及び反転パターンの形成方法

公開番号 WO/2015/025665
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/069341
国際出願日 22.07.2014
IPC
G03F 7/40 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
40画像様除去後の処理,例.加熱
G03F 7/32 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
30液体手段を用いる画像様除去
32そのための液体組成物,例.現像剤
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/0752
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
075Silicon-containing compounds
0752in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
G03F 7/168
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
16Coating processes; Apparatus therefor
168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
G03F 7/38
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
38Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
G03F 7/40
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
H01L 21/0274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0274Photolithographic processes
出願人
  • 日産化学工業株式会社 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区神田錦町三丁目7番地1 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054, JP
発明者
  • 境田 康志 SAKAIDA, Yasushi; JP
  • 坂本 力丸 SAKAMOTO, Rikimaru; JP
  • 志垣 修平 SHIGAKI, Shuhei; JP
代理人
  • 萼 経夫 HANABUSA, Tsuneo; JP
優先権情報
2013-17364623.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COATING LIQUID TO BE APPLIED OVER RESIST PATTERN AND METHOD FOR FORMING REVERSE PATTERN
(FR) LIQUIDE DE REVÊTEMENT DESTINÉ À ÊTRE APPLIQUÉ SUR UN MOTIF DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D’UN MOTIF INVERSE
(JA) レジストパターンに塗布される塗布液及び反転パターンの形成方法
要約
(EN)
[Problem] To provide a coating liquid which is applied over a resist pattern and is used in place of a conventional rinsing liquid. [Solution] A coating liquid to be applied over a resist pattern, which contains: a polymer that has a weight average molecular weight of 500-3,500 and comprises a structural unit represented by formula (1) and a structural unit represented by formula (2); and a solvent that is mainly composed of water. (In the formulae, R1 represents an organic group having 1-8 carbon atoms.)
(FR)
L’objectif de l'invention est de fournir un liquide de revêtement qui s’applique sur un motif de réserve et remplace un liquide de rinçage classique. La présente invention prévoit un liquide de revêtement destiné à être appliqué sur un motif de réserve et contenant : un polymère qui a une masse moléculaire moyenne en masse de 500 à 3 500 et comprend une unité structurelle représentée par la formule (1) et une unité structurelle représentée par la formule (2) ; et un solvant qui est principalement composé d’eau. (Dans les formules, R1 représente un groupe organique ayant de 1 à 8 atomes de carbone.)
(JA)
【課題】従来のリンス液の代わりに用いられる、レジストパターンに塗布される塗布液を提供する。 【解決手段】下記式(1)で表される構造単位及び下記式(2)で表される構造単位を有する重量平均分子量500乃至3500のポリマーと、水を主成分とする溶剤とを含む、レジストパターンに塗布される塗布液。(式中、Rは炭素原子数1乃至8の有機基を表す。)
国際事務局に記録されている最新の書誌情報