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1. WO2015025637 - 光電変換装置およびその製造方法

公開番号 WO/2015/025637
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/068614
国際出願日 11.07.2014
予備審査請求日 17.11.2014
IPC
H01L 31/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
G02B 5/20 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
5レンズ以外の光学要素
20フィルター
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H01L 27/14 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
CPC
H01L 27/1462
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
H01L 27/14623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14623Optical shielding
H01L 27/14625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
H01L 27/14629
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
14629Reflectors
H01L 27/14645
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14645Colour imagers
H01L 31/02162
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
02161for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
02162for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP
発明者
  • 夏秋 和弘 NATSUAKI, Kazuhiro; null
  • 内田 雅代 UCHIDA, Masayo; null
  • 瀧本 貴博 TAKIMOTO, Takahiro; null
  • 粟屋 信義 AWAYA, Nobuyoshi; null
  • 石原 数也 ISHIHARA, Kazuya; null
  • 中野 貴司 NAKANO, Takashi; null
  • 名倉 満 NAKURA, Mitsuru; null
代理人
  • 鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
優先権情報
2013-17363723.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER
(JA) 光電変換装置およびその製造方法
要約
(EN)
Provided is a photoelectric conversion device in which the anomalous transmission of light having a wavelength that does not normally transmit can be prevented and the half-width of a spectral waveform can be reduced and also provided is a method for manufacturing the photoelectric conversion device. A first photoelectric conversion element (101) is formed on a substrate (100). A first metal film (31) having a plurality of openings (41) arranged periodically or aperiodically is formed above the first photoelectric conversion element (101) with insulating films (1, 2, 3) interposed therebetween. A second metal film (32) is also provided that covers a part of the openings (41) of the first metal film (31).
(FR)
L'invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique pour lequel on peut empêcher une transmission anormale de la lumière ayant une longueur d'onde qui, normalement, n'est pas transmise et on peut réduire la demi-largeur d'une forme d'onde spectrale, et également sur un procédé permettant de fabriquer le dispositif de conversion photoélectrique. Un premier élément de conversion photoélectrique (101) est formé sur un substrat (100). Un premier film métallique (31) comportant une pluralité d'ouvertures (41) agencées de façon périodique ou apériodique est formé au-dessus du premier élément de conversion photoélectrique (101), des films isolants (1, 2, 3) étant intercalés entre ces dernières. L'invention comprend également un second film métallique (32) qui recouvre une partie des ouvertures (41) du premier film métallique (31).
(JA)
 本来、透過しない波長の光の異常透過を防ぐことができて、分光波形の半値幅を小さくすることができる光電変換装置およびその製造方法を提供する。基板(100)に第1の光電変換素子(101)を形成し、この第1の光電変換素子(101)の上に、周期的または非周期的に配置された複数の開口(41)を有する第1の金属膜(31)を、絶縁膜(1,2,3)を介して形成する。上記第1の金属膜(31)の複数の開口(41)の一部を覆う第2の金属膜(32)を設ける。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報