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1. WO2015025618 - 弾性表面波デバイス及びその製造方法

公開番号 WO/2015/025618
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/067228
国際出願日 27.06.2014
IPC
H03H 9/25 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
H01L 23/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
02容器,封止
10部品間,例.容器の蓋と基台との間または容器のリードと壁との間,の封止の材料または配列に特徴のあるもの
H03H 3/08 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
3インピーダンス回路網,共振回路,共振器の製造に特有な装置または工程
007電気機械的共振器または回路網の製造のためのもの
08弾性表面波を用いる共振器または回路網の製造のためのもの
CPC
H01L 2224/11
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
11Manufacturing methods
H01L 23/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
10characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 41/107
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
107with electrical input and electrical output ; , e.g. transformers
H01L 41/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
29Forming electrodes, leads or terminal arrangements
H03H 3/08
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
08for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
出願人
  • 株式会社 村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者
  • 安島 大介 AJIMA Daisuke; JP
  • 甲斐 誠二 KAI Seiji; JP
代理人
  • 山本俊則 YAMAMOTO Toshinori; JP
優先権情報
2013-17011620.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性表面波デバイス及びその製造方法
要約
(EN)
Provided are a surface acoustic wave device and a manufacturing method therefor such that separation of feed lines from a piezoelectric substrate during dicing can be suppressed and degradation in airtightness of a sealed space can be suppressed. A conductive pattern is formed on a main surface (11a) of a piezoelectric substrate, said conductive pattern including a surface acoustic wave component pattern, a pad, and a feed line (18j) that is electrically connected to the pad and extends to an outer peripheral edge (11x) of the main surface (11a). The piezoelectric substrate and a cover are joined together via a support layer that includes a frame section (32) that is formed into the shape of a frame along the outer peripheral edge (11x) of the main surface (11a) and spaced away from the outer peripheral edge (11x) and a pad-adjacent part that is formed on the pad, thereby forming a sealed space surrounded by the piezoelectric substrate, the cover, and the frame section (32). The support layer further includes a reinforcement part (36) that intersects the feed line (18j) in the vicinity of an intersection part (32x) where an isolated part of the frame section (32) away from the pad-adjacent part intersects the feed line (18j).
(FR)
L'invention porte sur un dispositif à ondes acoustiques de surface et sur son procédé de fabrication de telle sorte que la séparation des lignes d'alimentation d'un substrat piézoélectrique pendant le découpage en dés puisse être éliminée et que la dégradation de l'étanchéité à l'air d'un espace fermé de façon étanche puisse être éliminée. Un motif conducteur est formé sur une surface principale (11a) d'un substrat piézoélectrique, ledit motif conducteur comprenant un motif conducteur d'ondes acoustiques de surface, un plot de connexion et une ligne d'alimentation (18j) qui est électriquement raccordée au plot de connexion et s'étend jusqu'à un bord périphérique externe (11x) de la surface principale (11a). Le substrat piézoélectrique et un revêtement sont réunis par l'intermédiaire d'une couche de support qui comprend une section de cadre (32) qui se présente sous la forme d'un cadre le long du bord périphérique externe (11x) de la surface principale (11a) et espacée du bord périphérique externe (11x), et une partie adjacente au plot de connexion qui est formée sur le plot de connexion, ce qui permet de former un espace fermé de façon étanche entouré par le substrat piézoélectrique, le revêtement et la section de cadre (32). La couche de support comprend en outre une partie de renforcement (36) qui coupe la ligne d'alimentation (18j) à proximité d'une partie d'intersection (32x) où une partie isolée de la section de cadre (32) espacée de la partie adjacente au plot de connexion coupe la ligne d'alimentation (18j).
(JA)
 ダイシング時に給電ラインが圧電基板から剥がれることを抑制し、密閉空間の密閉性低下を抑制することができる弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。 圧電基板の主面11aに、弾性表面波素子パターンと、パッドと、パッドに電気的に接続され主面11aの外周縁11xまで延在する給電ライン18jとを含む導電パターンが形成されている。主面11aの外周縁11xに沿って、外周縁11xとの間に間隔を設けて枠状に形成された枠部32と、パッド上に形成されたパッド隣接部とを含む支持層を介して、圧電基板とカバーとが接合され、圧電基板、カバー及び枠部32で囲まれた密閉空間が形成される。支持層は、枠部32のうちパッド隣接部から離れている独立部分が給電ライン18jと交差する交差部分32xの近傍において、給電ライン18jと交差する補強部36を、さらに含む。
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