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1. WO2015025510 - 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法

公開番号 WO/2015/025510
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/004208
国際出願日 18.08.2014
IPC
H01L 31/0445 2014.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
042PVモジュールまたは1つ1つのPV素子のアレイ
0445薄膜太陽電池,例.1つの薄膜a-Si,CISまたはCdTe太陽電池,を含むもの
C23C 16/04 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
04選択された表面部分への被覆,例.マスクを用いるもの
H01L 31/0747 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(登録商標)の太陽電池とのヘテロ結合
H01L 31/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
C23C 16/042
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
042using masks
H01L 31/0445
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
0445including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
H01L 31/0747
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
Y02E 10/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者
  • 川本 訓裕 KAWAMOTO, Kunihiro; null
  • 岡部 克也 OKABE, Katsuya; null
代理人
  • 特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI PATENT ATTORNEYS; 東京都武蔵野市吉祥寺本町一丁目34番12号 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
優先権情報
2013-17115521.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
要約
(EN)
 A photoelectric conversion element (10) provided with a substrate (12) and a film formation layer (13) deposited on the surface of the substrate (12), the film formation layer (13) having, on a peripheral edge part, at least one cutout part (14) on which no deposition takes place. The film formation layer (13) is formed using a photoelectric conversion element film formation mask having an opening defining a film formation region and having at least one substrate-holding protrusion protruding from the peripheral edge part of the opening towards the inside of the opening. The cutout part (14) is formed at a position on the photoelectric conversion element film formation mask corresponding to the position of the substrate-holding protrusion.
(FR)
 L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique (10), comprenant un substrat (12) et une couche de formation de film (13) déposée sur la surface du substrat (12), la couche de formation de film (13) ayant, sur une partie de bord périphérique, au moins une partie de découpe (14) sur laquelle on ne peut placer de dépôt. La couche de formation de film (13) est formée en utilisant un masque de formation de film d'élément de conversion photoélectrique ayant une ouverture définissant une région de formation de film et ayant au moins une saillie de maintien de substrat dépassant de la partie de bord périphérique de l'ouverture vers l'intérieur de l'ouverture. La partie de découpe (14) est formée au niveau d'une position du masque de formation de film d'élément de conversion photoélectrique correspondant à la position de la saillie de maintien de substrat.
(JA)
 光電変換素子10は、基板12と、基板12の表面に堆積された成膜層13であって、堆積がなされない切欠部14を少なくとも1つ周縁部に有する成膜層13とを備える。成膜層13は、成膜領域を規定する開口部を有し、開口部の周縁部から開口部の内側に向かって突き出す基板押え突起部を少なくとも1つ有する光電変換素子成膜用マスクを用いて形成される。切欠部14は、光電変換素子成膜用マスクの基板押え突起部の位置に対応する位置に形成されたものである。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報