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1. WO2015025496 - 半導体物理量センサ

公開番号 WO/2015/025496
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/004139
国際出願日 08.08.2014
IPC
H01L 29/84 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
84外からの機械的力,例.圧力,の変化によって制御可能なもの
G01L 9/00 2006.01
G物理学
01測定;試験
L力,応力,トルク,仕事,機械的動力,機械的効率,または流体圧力の測定
9電気的または磁気的感圧素子による流体または流動性固体の定常圧または準定常圧の測定;流体または流動性固体の定常圧または準定常圧の測定に用いられる機械的感圧素子の変位の電気的または磁気的手段による伝達または指示
CPC
B81B 3/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
3Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
B81B 7/0029
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
7Microstructural systems; ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
0009Structural features, others than packages, for protecting a device against environmental influences
0029Protection against environmental influences not provided for in groups B81B7/0012 - B81B7/0025
G01L 9/0072
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0072using variations in capacitance
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者
  • 片岡 万士 KATAOKA, Kazushi; null
  • 荻原 淳 OGIHARA, Jun; null
  • 牛山 直樹 USHIYAMA, Naoki; null
  • 城石 久徳 SHIROISHI, Hisanori; null
代理人
  • 伊藤 正和 ITO, Masakazu; JP
優先権情報
2013-17096521.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR PHYSICAL QUANTITY SENSOR
(FR) CAPTEUR DE QUANTITÉ PHYSIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体物理量センサ
要約
(EN)
 A semiconductor physical quantity sensor (10) provided with: a first base material (20); an electrode (60) formed on the first base material (20); a diaphragm (60) which flexes in accordance with a physical quantity applied from the exterior; a second base material (30) for supporting the diaphragm (50) so as to face the electrode (60) across a space (S), the second base material (30) being fixed to the first base material (20); and an insulator (40) formed on the first base material (20)-side surface (50a) of the diaphragm (50). A wall part (41) defining the space (S) is formed between the insulator (40) and the electrode (60).
(FR)
 La présente invention concerne un capteur (10) de quantité physique à semi-conducteur comprenant : un premier matériau de base (20) ; une électrode (60) formée sur le premier matériau de base (20) ; un diaphragme (60) qui se plie en fonction d'une quantité physique appliquée depuis l'extérieur ; un second matériau de base (30) destiné à soutenir le diaphragme (50) de façon à faire face à l'électrode (60) sur l'étendue d'un espace (S), le second matériau de base (30) étant fixé au premier matériau de base (20) ; et un isolant (40) formé sur la surface (50a) du diaphragme (50) du côté du premier matériau de base (20). Une partie paroi (41) définissant l'espace (S) est formée entre l'isolant (40) et l'électrode (60).
(JA)
 半導体物理量センサ(10)は、第1基材(20)と、第1基材(20)上に形成された電極(60)と、外部から印加される物理量に応じて撓むダイヤフラム(50)と、ダイヤフラム(50)を電極(60)に対して空間(S)を介して対面するように支持するとともに、第1基材(20)に固定される第2基材(30)と、ダイヤフラム(50)の第1基材(20)側の面(50a)に形成される絶縁体(40)と、を備えている。そして、絶縁体(40)と電極(60)との間に、空間(S)を画成する壁部(41)を形成した。
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