処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2015025480 - 縦型トランジスタを用いた荷重センサ

公開番号 WO/2015/025480
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/004000
国際出願日 30.07.2014
IPC
G01L 1/18 2006.01
G物理学
01測定;試験
L力,応力,トルク,仕事,機械的動力,機械的効率,または流体圧力の測定
1力または応力の測定一般
18圧抵抗物質,すなわち加えられた力の大きさまたは方向の変化に応じてオーム抵抗が変化する物質,の特性を利用するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 29/84 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
84外からの機械的力,例.圧力,の変化によって制御可能なもの
CPC
G01L 1/18
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
18using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
G01L 1/2293
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
20by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids
22using resistance strain gauges
2287constructional details of the strain gauges
2293of the semi-conductor type
H01L 29/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
22including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
H01L 29/84
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
84controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
H01L 51/057
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
057having a vertical structure, e.g. vertical carbon nanotube field effect transistors [CNT-FETs]
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
発明者
  • 井上 孝 INOUE, Takashi; JP
  • 畑 謙佑 HATA, Kensuke; JP
  • 加藤 哲弥 KATOH, Tetsuya; JP
  • 酒井 賢一 SAKAI, Kenichi; JP
  • 宇野 真由美 UNO, Mayumi; JP
  • 竹谷 純一 TAKEYA, Junichi; JP
代理人
  • 金 順姫 KIN, Junhi; JP
優先権情報
2013-17229322.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LOAD SENSOR USING VERTICAL TRANSISTOR
(FR) CAPTEUR DE CHARGE UTILISANT UN TRANSISTOR VERTICAL
(JA) 縦型トランジスタを用いた荷重センサ
要約
(EN)
A load sensor (100) is composed from a rib (2) and a vertical transistor using an organic semiconductor thin film (5), and the like, and load measurement is carried out on the basis of the variation of a channel length in the vertical transistor, that is, the space between the drain and source. As a result, a current (Ids) can be made to exhibit linear variation in relation to an applied load.
(FR)
La présente invention concerne un capteur de charge (100) qui est composé d'une nervure (2) et d'un transistor vertical utilisant une couche mince semi-conductrice organique (5), et analogue, et une mesure de la charge est réalisée sur la base de la variation d'une longueur de canal dans le transistor vertical, à savoir, l'espace entre le drain et la source. Il en résulte qu'un courant (Ids) peut être amené à montrer une variation linéaire en relation avec une charge appliquée.
(JA)
 リブ(2)および有機半導体薄膜(5)などを用いた縦型トランジスタによって荷重センサ(100)を構成し、縦型トランジスタにおけるチャネル長、つまりドレイン・ソース間の間隔の変化に基づいて荷重測定を行う。これにより、電流Idsが印加される荷重に対して線形的な変化を示すようにできる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報