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1. WO2015025469 - ウェーハの両面研磨方法

公開番号 WO/2015/025469
公開日 26.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/003860
国際出願日 23.07.2014
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/00 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
B24B 37/08 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
04平面を加工するために設計されたもの
07工作物またはラップ工具の動きに特徴のあるもの
08両面ラッピングのためのもの
CPC
B24B 37/044
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
042operating processes therefor
044characterised by the composition of the lapping agent
B24B 37/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
07characterised by the movement of the work or lapping tool
08for double side lapping
B24B 53/017
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
53Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
C09K 3/1436
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1436Composite particles, e.g. coated particles
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者
  • 佐藤 一弥 SATO, Kazuya; JP
  • 田中 佑宜 TANAKA, Yuki; JP
  • 小林 修一 KOBAYASHI, Syuichi; JP
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; JP
優先権情報
2013-17065820.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) TWO-SIDE POLISHING METHOD FOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE CÔTÉ POUR PLAQUETTE
(JA) ウェーハの両面研磨方法
要約
(EN)
The present invention is a two-side polishing method for a wafer, comprising a step of using a dressing plate to dress polishing cloth adhered onto top and bottom surface plates, and a step of polishing both sides of a wafer simultaneously, the polishing being performed in the polishing step while a carrier orbits in the opposite direction with respect to an orbital direction of the dressing plate at dressing time, a polishing slurry being an alkali-based slurry of colloidal silica suspension at pH 10 to 12, and the colloidal silica being a mixture of first abrasive grains having an average secondary particle diameter of 170 nm to 230 nm with a standard deviation of 41 nm or less and second abrasive grains having an average secondary particle diameter of 68.7 nm to 115.5 nm with a standard deviation of 12 nm or less, containing 0.5 to 1.4% by mass of the first abrasive grains and 1.4 to 2.5% by mass of the second abrasive grains. This provides a two-side polishing method for a wafer, capable of both eliminating debris and preventing a deterioration in flatness due to peripheral sagging of the wafer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de polissage double côté pour plaquette, comprenant les étapes suivantes : utilisation d'une tazble d'habillage, pour habiller un tissu de polissage collé sur des plaques de surface supérieure et inférieure ; et polissage simultané des deux côtés d'une plaquette. Dans l'étape de polissage, le polisssage est réalisé lorsqu'un porteur orbite dans la direction opposée par rapport à une direction orbitale de la plaque d'habillage au moment de l'habillage. La suspension de polissage est une suspension à base d'alcali de suspension de silice solloïdale avec un pH de 10 à 12. La silice colloïdale est un mélange de premiers grains abrasifs de diamètre de particule secondaire moyen compris entre 170 nm et 230 nm, avec un écart standard inférieur ou égal à 41 nm, et de seconds grains abrasifs de diamètre de particule secondaire moyen compris entre 68,7 nm et 115,5 nm, avec un écart standard inférieur ou égal à 12 nm, contenant de 0,5 à 1,4 % par masse des premiers grains abrasifs et de 1,4 à 2,5 % par masse des seconds grains abrasifs. Ce procédé de polissage double côté pour plaquette permet à la fois d'éliminer les débris et d'empêcher une détérioration de planéité du à un fléchissement périphérique de la plaquette.
(JA)
 本発明は、ドレスプレートを用いて上下定盤に貼付された研磨布のドレッシングを行う工程と、ウェーハの両面を同時に研磨する工程とを含み、研磨する工程において、ドレッシング時のドレスプレートの公転方向に対し、キャリアを逆方向に公転させながら研磨を行い、研磨スラリを、コロイダルシリカを懸濁したpH10~12のアルカリベースのスラリとし、コロイダルシリカを、平均二次粒子径が、170nm~230nmであり、標準偏差が41nm以下の第一の砥粒と、平均二次粒子径が、68.7nm~115.5nmであり、標準偏差が12nm以下の第二の砥粒とが混合されたものとし、第一の砥粒を0.5~1.4質量%、第二の砥粒を1.4~2.5質量%含むものとするウェーハの両面研磨方法である。これにより、デブリフリー化と、ウェーハの外周ダレによるフラットネス悪化防止を両立させることができるウェーハの両面研磨方法が提供される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報