処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2015022931 - 弾性波装置、電子部品、および弾性波装置の製造方法

公開番号 WO/2015/022931
公開日 19.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/071172
国際出願日 11.08.2014
IPC
H03H 9/25 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
H03H 3/08 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
3インピーダンス回路網,共振回路,共振器の製造に特有な装置または工程
007電気機械的共振器または回路網の製造のためのもの
08弾性表面波を用いる共振器または回路網の製造のためのもの
H03H 9/145 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02細部
125駆動手段,例.電極,コイル
145弾性表面波を用いる回路網のためのもの
CPC
H01L 2224/16225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
H03H 3/08
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
08for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
H03H 9/02574
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02535of surface acoustic wave devices
02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
02574of combined substrates, multilayered substrates, piezo-electrical layers on not-piezo- electrical substrate
H03H 9/02992
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02535of surface acoustic wave devices
02992Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
H03H 9/0542
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
0542consisting of a lateral arrangement
H03H 9/059
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
058for surface acoustic wave devices
059consisting of mounting pads or bumps
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者
  • 三輪 祐司 MIWA, Yuji; JP
  • 角居 聖 SUMII, Hijiri; JP
  • 安田 潤平 YASUDA, Junpei; JP
  • 菊知 拓 KIKUCHI, Taku; JP
  • 山崎 央 YAMAZAKI, Hisashi; JP
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報
2013-16867614.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELASTIC WAVE DEVICE, ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE ET MÉTHODE DE FABRICATION DE DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置、電子部品、および弾性波装置の製造方法
要約
(EN)
This elastic wave device (1) comprises a piezoelectric substrate (10), an IDT electrode (11), a wiring line (14), a pad (20), an underbump metal (18), a first dielectric layer (15) and a second dielectric layer (16). At least a part of the IDT electrode (11) is configured of a first conductive film (41); at least a part of the wiring line (14) is configured of a laminate that comprises the first conductive film (41) and a second conductive film (42); and at least a part of the pad (20) is configured of the second conductive film (42). The second dielectric layer (16) is formed to cover a region (NC) other than a contact region (C) of the second conductive film (42) and the underbump metal (18). Consequently, the second conductive film (42) is covered by the second dielectric layer (16) and the underbump metal (18), and thus is not exposed to the atmosphere.
(FR)
Selon l'invention, un dispositif à ondes élastiques (1) comprend un substrat piézoélectrique (10), une électrode IDT (11), une ligne de câblage (14), un tampon (20), un métal sous bossage (18), une première couche de diélectrique (15) et une deuxième couche de diélectrique (16). Au moins une partie de l'électrode IDT (11) est constituée d'un premier film conducteur (41) ; au moins une partie de la ligne de câblage (14) est constituée d'un stratifié qui comprend le premier film conducteur (41) et un deuxième film conducteur (42) ; et au moins une partie du tampon (20) est constituée du deuxième film conducteur (42). La deuxième couche de diélectrique (16) est formée de façon à recouvrir une région (NC) différente d'une région de contact (C) du deuxième film conducteur (42) et du métal sous bossage (18). Par conséquent, le deuxième film conducteur (42) est recouvert par la deuxième couche de diélectrique (16) et le métal sous bossage (18), et ainsi n'est pas exposé à l'atmosphère.
(JA)
 弾性波装置(1)は、圧電基板(10)と、IDT電極(11)と、配線(14)と、パッド(20)と、アンダーバンプメタル(18)と、第1の誘電体層(15)と、第2の誘電体層(16)と、を有している。IDT電極(11)の少なくとも一部は第1の導電膜(41)により構成され、配線(14)の少なくとも一部は第1の導電膜(41)と第2の導電膜(42)とを有する積層体により構成され、パッド(20)の少なくとも一部は第2の導電膜(42)により構成されている。第2の誘電体層(16)は、第2の導電膜(42)とアンダーバンプメタル(18)との接触領域(C)以外の領域(NC)を覆うように形成されている。そのため、第2の導電膜(42)は第2の誘電体層(16)およびアンダーバンプメタル(18)により覆われ、大気中に露出していない。
他の公開
DE1120140037311
Other related publications
国際事務局に記録されている最新の書誌情報