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1. WO2015022820 - パターン形成方法、並びに、これを用いた、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

公開番号 WO/2015/022820
公開日 19.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/067956
国際出願日 04.07.2014
IPC
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/038 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
038不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
CPC
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/0046
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0046with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
G03F 7/0392
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
G03F 7/0395
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0395the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者
  • 二橋 亘 NIHASHI Wataru; JP
  • 森 弘喜 MORI Hiroki; JP
代理人
  • 高松 猛 TAKAMATSU Takeshi; JP
優先権情報
2013-16866414.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、並びに、これを用いた、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
要約
(EN)
Provided is a pattern forming method which comprises, in the following order: a step (1) wherein a film is formed using an active light sensitive or radiation sensitive resin composition that contains (A) a resin having a repeating unit represented by general formula (I) such as a hydroxystyrene protected by an acid labile group and a compound represented by general formula (II), which is an acid generator having a steroid skeleton or the like; a step (2) wherein the film is exposed using an electron beam or extreme ultraviolet light; and a step (3) wherein the film is developed after the exposure with use of a developer liquid that contains an organic solvent. By this pattern forming method, excellent pattern collapse performance, excellent roughness performance and excellent development defect performance can be satisfied at high levels in the formation of an ultrafine pattern (for example, one having a line width of 50 nm or less). Also provided are: a method for manufacturing an electronic device using this pattern forming method; and an electronic device.
(FR)
La présente invention concerne une procédé de formation de motifs qui comprend, dans l'ordre suivant : une étape (1) qui consiste à former un film en utilisant une composition de résine active sensible à la lumière ou sensible aux rayonnements qui contient (A) une résine ayant une unité de répétition représentée par la formule générale (I) telle qu'un hydroxystyrène protégé par un groupe labile en présence d'acide et un composé représenté par la formule générale (II), qui est un producteur d'acide ayant un squelette stéroïde ou similaire; une étape (2) qui consiste à exposer le film en utilisant un faisceau d'électrons ou une lumière ultraviolette extrême; et une étape (3) qui consiste à développer le film après l'exposition au moyen d'un liquide révélateur qui contient un solvant organique. Grâce à ce procédé de formation de motifs, d'excellents résultats en termes d'affaissement du motif, d'excellents résultats de rugosité et d'excellents résultats en termes de défauts de développement peuvent être obtenus à des niveaux élevés dans la formation d'un motifs ultramince (par exemple, d'une largeur de ligne de 50 nm ou moins). La présente invention concerne également : un procédé de fabrication d'un dispositif électronique utilisant ce procédé de formation de motifs; et un dispositif électronique.
(JA)
(A)酸不安定性基で保護されたヒドロキシスチレン等の一般式(I)で表される繰り返し単位を有する樹脂、及び、ステロイド骨格等を有する酸発生剤である一般式(II)で表される化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程(3)を、この順番で有するパターン形成方法により、極微細(例えば、線幅50nm以下)のパターン形成において、優れたパターン倒れ性能、優れたラフネス性能及び優れた現像欠陥性能を高次元で満足できるパターン形成方法、並びに、これを用いた、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報