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1. WO2015020161 - 自立GaN基板、GaN結晶、GaN単結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法

公開番号 WO/2015/020161
公開日 12.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/070919
国際出願日 07.08.2014
IPC
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
C30B 25/20 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
18基板によって特徴づけられたもの
20基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
C30B 23/025
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
025characterised by the substrate
C30B 25/186
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
186being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
C30B 25/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
20the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
C30B 29/406
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
406Gallium nitride
C30B 7/105
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
7Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
10by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
105using ammonia as solvent, i.e. ammonothermal processes
H01L 21/02389
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02389Nitrides
出願人
  • 三菱化学株式会社 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目1番1号 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251, JP
発明者
  • 長尾 哲 NAGAO, Satoru; JP
  • 塚田 悠介 TSUKADA, Yusuke; JP
  • 鎌田 和典 KAMADA, Kazunori; JP
  • 久保 秀一 KUBO, Shuichi; JP
  • 池田 宏隆 IKEDA, Hirotaka; JP
  • 藤戸 健史 FUJITO, Kenji; JP
  • 藤澤 英夫 FUJISAWA, Hideo; JP
  • 三川 豊 MIKAWA, Yutaka; JP
  • 望月 多恵 MOCHIZUKI, Tae; JP
代理人
  • 川口 嘉之 KAWAGUCHI, Yoshiyuki; JP
優先権情報
2013-16529308.08.2013JP
2014-00690717.01.2014JP
2014-03872228.02.2014JP
2014-09053524.04.2014JP
2014-10438320.05.2014JP
2014-12252013.06.2014JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE GaN AUTOPORTEUR, CRISTAL DE GaN, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE GaN ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 自立GaN基板、GaN結晶、GaN単結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a non-polar or semipolar GaN substrate having an improved size and crystal quality. The self-standing GaN substrate is characterized in that: the angle between the nominal line of the main surface and an m axis is between 0 and 20 degrees, inclusive; the size of a projection image in the c-axis direction is 10 mm or larger when the main surface is perpendicularly projected on surface M; and a low strain zone, in which the zone length is 6 mm or longer and the a-axis length variation within the zone is 10.0×10-5Å or less when the a-axis length is measured along the line of intersection between the main surface and surface A, is observed.
(FR)
Le but de la présente invention est de proposer un substrat de GaN non polaire ou semi-polaire ayant une dimension améliorée et une qualité cristalline améliorée. Le substrat de GaN autoporteur est caractérisé en ce que : l'angle entre la ligne nominale de la surface principale et un axe m est entre 0 et 20 degrés, bornes incluses; la dimension d'une image de projection dans la direction de l'axe c est 10 mm ou plus lorsque la surface principale est projetée de façon perpendiculaire sur une surface M; et une zone de faible contrainte, dans laquelle la longueur de la zone est 6 mm ou plus et la variation de la longueur de l'axe a à l'intérieur de la zone est 10,0×10-5Å ou moins lorsque la longueur de l'axe a est mesurée le long de la ligne d'intersection entre la surface principale et une surface A, est observée.
(JA)
 改善されたサイズおよび結晶品質を有する、非極性または半極性GaN基板を提供すること。自立GaN基板は、主表面の法線とm軸との間の角度が0度以上20度以下であって、該主表面をM面に垂直投影したときの、投影像のc軸方向のサイズが10mm以上であり、かつ、該主表面とA面との交線上でa軸長を測定したときに、区間長が6mm以上かつ区間内のa軸長変動が10.0×10-5Å以下である低歪み区間が観察される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報