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1. WO2015019857 - 半導体装置、表示装置および半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2015/019857
公開日 12.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/069528
国際出願日 24.07.2014
IPC
G02F 1/1368 2006.01
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362アクティブマトリックスセル
1368スイッチング素子が三端子の素子であるもの
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
CPC
G02F 1/136227
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
H01L 27/1262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
1262with a particular formation, treatment or coating of the substrate
H01L 27/3248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3244Active matrix displays
3248Connection of the pixel electrode to the TFT
H01L 29/41733
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41733for thin film transistors with insulated gate
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP
発明者
  • 加藤 純男 KATOH Sumio; null
  • 上田 直樹 UEDA Naoki; null
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
優先権情報
2013-16441107.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置、表示装置および半導体装置の製造方法
要約
(EN)
 A semiconductor device (100A) is provided with a first metal layer (12) having a gate electrode (12g), a gate insulation layer (14) formed on the first metal layer, an oxide semiconductor layer (16) formed on the gate insulation layer, a second metal layer (18) formed on the oxide semiconductor layer, an interlayer insulation layer (22) formed on the second metal layer, and a transparent electrode layer (TE) having a transparent conduction layer (Tc), the oxide semiconductor layer has a first portion (16a) and a second portion (16b) extended across an edge of the gate electrode, the second metal layer has a source electrode (18s) and a drain electrode (18d), the interlayer insulation layer does not include an organic insulation layer, the interlayer insulation layer has a contact hole (22a) formed so as to be superposed on the second portion and an end part of the drain electrode on a side thereof near the second portion, and the transparent conduction layer (Tc) contacts the end part of the drain electrode and the second portion of the oxide semiconductor layer in the contact hole.
(FR)
 La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (100A) pourvue d'une première couche métallique (12) ayant une électrode de grille (12g), une couche d'isolation de grille (14) formée sur la première couche métallique, une couche d'oxyde semi-conducteur (16) formée sur la couche d'isolation de grille, une deuxième couche métallique (18) formée sur la couche d'oxyde semi-conducteur, une couche d'isolation entre-couche (22) formée sur la deuxième couche métallique, et une couche d'électrode transparente (TE) ayant une couche conductrice transparente (Tc), la couche d'oxyde semi-conducteur ayant une première portion (16a) et une deuxième portion (16b) s'étendant en travers d'un bord de l'électrode de grille, la deuxième couche métallique ayant une électrode de source (18s) et une électrode de drain (18d), la couche d'isolation entre-couche ne comportant pas de couche d'isolation organique, la couche d'isolation entre-couche ayant un trou de contact (22a) formé de manière à être superposé à la deuxième portion et une partie d'extrémité de l'électrode de drain sur un côté de celle-ci à proximité de la deuxième portion, et la couche conductrice transparente (Tc) venant en contact avec la partie d'extrémité de l'électrode de drain et avec la deuxième portion de la couche d'oxyde semi-conducteur dans le trou de contact.
(JA)
 半導体装置(100A)は、ゲート電極(12g)を有する第1メタル層(12)と、第1メタル層上に形成されたゲート絶縁層(14)と、ゲート絶縁層上に形成された酸化物半導体層(16)と、酸化物半導体層上に形成された第2メタル層(18)と、第2メタル層上に形成された層間絶縁層(22)と、透明導電層(Tc)を有する透明電極層(TE)とを備え、酸化物半導体層は、第1部分(16a)と、ゲート電極のエッジを横切って延長された第2部分(16b)とを有し、第2メタル層は、ソース電極(18s)およびドレイン電極(18d)を有し、層間絶縁層は、有機絶縁層を含んでおらず、層間絶縁層は、第2部分と、ドレイン電極の、第2部分に近い側の端部とに重なるように形成されたコンタクトホール(22a)を有し、透明導電層(Tc)は、コンタクトホール内でドレイン電極の端部および酸化物半導体層の第2部分に接する。
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