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1. WO2015019849 - CMP用研磨液

公開番号 WO/2015/019849
公開日 12.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/069421
国際出願日 23.07.2014
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/00 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
C09G 1/02 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
Gフレンチポリッシュ以外のつや出し組成物;スキーワックス
1つや出し組成物
02研摩剤または粉砕剤を含むもの
C09K 3/14 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
CPC
C01P 2004/84
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
80Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
82two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
84one phase coated with the other
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1445
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1436Composite particles, e.g. coated particles
1445the coating consisting exclusively of metals
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
H01L 21/76224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
76224using trench refilling with dielectric materials
出願人
  • コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
発明者
  • 午菴 一賀 GOAN, Kazuyoshi; JP
  • 奥山 奥士 OKUYAMA, Okushi; JP
  • 藤田 美千代 FUJITA, Michiyo; JP
  • 藤枝 洋一 FUJIEDA, Yoichi; JP
代理人
  • 特許業務法人光陽国際特許事務所 KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都千代田区有楽町一丁目1番3号 東京宝塚ビル17階 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
優先権情報
2013-16606509.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SLURRY FOR CMP
(FR) SUSPENSION POUR CMP
(JA) CMP用研磨液
要約
(EN)
 The problem addressed by the present invention is to provide a slurry for CMP, with which it is possible to suppress polishing scratches and dishing, and to achieve a higher polishing speed and cleaning performance. This slurry for CMP is used when polishing films and is used by mixing at the time of polishing a polishing material slurry containing a polishing material, a dispersant and water, with an additive solution containing an additive which includes carboxylic acid or water-soluble organic polymer having a carboxylate group, inorganic acid or inorganic acid salt and water, characterized in that the polishing particles (10) used in the polishing material are particles having a core/shell structure, the core layer (2) containing an oxide of at least one element selected from Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Zr, In, Sn, Y, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, W, Bi, Th and alkaline earth metals, and the shell layer (4) containing cerium oxide.
(FR)
 Le problème abordé par la présente invention est de produire une suspension pour polissage mécano-chimique (CMP) avec laquelle il soit possible de supprimer des rayures et un bombage dus au polissage, et d'atteindre une plus grande vitesse de polissage et de meilleures performances de nettoyage. Cette suspension pour CMP est utilisée lors du polissage de films et est utilisée par mélange, au moment du polissage, d'une suspension de matériau de polissage contenant un matériau de polissage, un dispersant et de l'eau, avec une solution d'additif contenant un additif qui comprend un acide carboxylique ou un polymère organique soluble dans l'eau comprenant un groupe carboxylate, un acide minéral ou un sel d'acide minéral et de l'eau, et est caractérisée en ce que les particules de polissage (10) utilisées dans le matériau de polissage sont des particules possédant une structure cœur/écorce, la couche de cœur (2) contenant un oxyde d'au moins un élément choisi parmi Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Zr, In, Sn, Y, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, W, Bi, Th et des métaux alcalino-terreux, et la couche d'écorce (4) contenant de l'oxyde de cérium.
(JA)
 本発明の課題は、研磨傷やディッシングを抑制し、より高い研磨速度及び洗浄性を得ることができるCMP用研磨液を提供することである。 本発明のCMP用研磨液は、研磨材、分散剤及び水を含む研磨材スラリーと、カルボン酸又はカルボン酸塩基を有する水溶性有機高分子を含む添加剤、無機酸又は無機酸塩及び水を含む添加液とを研磨時に混合して被研磨膜の研磨に用いる研磨液であって、研磨材に用いられる研磨材粒子(10)が、コア・シェル構造を有する粒子であり、コア層(2)には、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物が含有され、かつ、シェル層(4)には、酸化セリウムが含有されていることを特徴とする。
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