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1. WO2015019771 - 酸化物半導体層及びその製造方法、並びに酸化物半導体の前駆体、酸化物半導体層、半導体素子、及び電子デバイス

公開番号 WO/2015/019771
公開日 12.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/067960
国際出願日 04.07.2014
IPC
H01L 21/368 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368液相成長を用いるもの
C01G 15/00 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
GサブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
15ガリウム,インジウム,またはタリウム化合物
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
CPC
C01G 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
15Compounds of gallium, indium or thallium
H01L 21/02483
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02483Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
H01L 21/02554
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02551Group 12/16 materials
02554Oxides
H01L 21/02565
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02565Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
H01L 21/02614
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02614Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
H01L 21/02628
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02623Liquid deposition
02628using solutions
出願人
  • 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 石川県能美市旭台一丁目1番地 1-1, Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa 9231292, JP
  • 住友精化株式会社 SUMITOMO SEIKA CHEMICALS CO., LTD. [JP/JP]; 兵庫県加古郡播磨町宮西346番地の1 346-1, Miyanishi, Harima-cho, Kako-gun, Hyogo 6750145, JP
発明者
  • 井上 聡 INOUE, Satoshi; JP
  • 下田 達也 SHIMODA, Tatsuya; JP
  • 川北 知紀 KAWAKITA, Tomoki; JP
  • 藤本 信貴 FUJIMOTO, Nobutaka; JP
  • 西岡 聖司 NISHIOKA. Kiyoshi; JP
代理人
  • 河野 広明 KOUNO, Hiroaki; JP
優先権情報
2013-16631809.08.2013JP
2013-26297519.12.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, OXIDE SEMICONDUCTOR PRECURSOR, OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) COUCHE D'OXYDE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT, PRÉCURSEUR D'OXYDE DE SEMI-CONDUCTEUR, COUCHE D'OXYDE DE SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 酸化物半導体層及びその製造方法、並びに酸化物半導体の前駆体、酸化物半導体層、半導体素子、及び電子デバイス
要約
(EN)
[Problem] To provide: an oxide semiconductor layer with which crack formation is reduced, and which exhibits excellent electrical characteristics and stability; a semiconductor element provided with said oxide semiconductor layer; and an electronic device. [Solution] An oxide-semiconductor-layer production method according to one embodiment of the present invention includes: a precursor-layer formation step in which an oxide semiconductor precursor is formed as a layer upon or above a substrate, said oxide semiconductor precursor being obtained by dispersing, in a solution including a binder comprising an aliphatic polycarbonate, a compound of a metal that will become an oxide semiconductor when oxidized; and a baking step in which the precursor layer is heated at a first temperature that causes the binder to decompose by at least 90 wt%, and subsequently baked at a temperature which is higher than the first temperature, which binds oxygen to the aforementioned metal, and which has an exothermic peak value at at least a second temperature (the temperature indicated by X) in differential thermal analysis (DTA).
(FR)
L'invention concerne une couche d'oxyde de semi-conducteur permettant de réduire la formation de fissures et qui possède d'excellentes caractéristiques électriques et de stabilité ; un élément semi-conducteur pourvu de ladite couche d'oxyde de semi-conducteur ; et un dispositif électronique. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de production d'une couche d'oxyde de semi-conducteur, qui comporte les étapes consistant à : former en tant que couche un précurseur d'oxyde de semi-conducteur sur ou par-dessus un substrat, ledit précurseur étant obtenu par la dispersion, dans une solution qui comprend un liant incluant un polycarbonate aliphatique, d'un composé d'un métal qui deviendra, une fois oxydé, un semi-conducteur à oxyde ; chauffer la couche de précurseur à une première température afin que le liant se décompose à raison d'au moins 90 %, et à cuire ultérieurement ladite couche à une température supérieure à la première température, cette étape de cuisson permettant de lier l'oxygène au métal mentionné précédemment, et comportant une valeur de pic exothermique à au moins une deuxième température (la température indiquée par X) dans une analyse thermique différentielle (DTA).
(JA)
【課題】クラックの生成が低減され、電気的特性及び安定性に優れる酸化物半導体層、及びその酸化物半導体層を備えた半導体素子並びに電子デバイスを提供する。 【解決手段】本発明の1つの酸化物半導体層の製造方法は、酸化されたときに酸化物半導体となる金属の化合物を脂肪族ポリカーボネートからなるバインダーを含む溶液中に分散させた酸化物半導体の前駆体を、基板上又はその上方に層状に形成する前駆体層の形成工程と、その前駆体層を、そのバインダーを90wt%以上分解させる第1温度によって加熱した後、その第1温度よりも高く、かつ前述の金属と酸素とが結合し、示差熱分析法(DTA)における発熱ピーク値の第2温度(Xで示す温度)以上の温度によってその前駆体層を焼成する焼成工程とを含む。
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