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1. WO2015019717 - 金属酸化物膜の製造方法、及びトランジスタの製造方法

公開番号 WO/2015/019717
公開日 12.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/066130
国際出願日 18.06.2014
IPC
C01B 13/32 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
13酸素;オゾン;酸化物または水酸化物一般
14酸化物または水酸化物の一般的製造方法
32液体または固体の状態にある元素または化合物の酸化または加水分解によるもの
C01F 7/30 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
F金属ベリリウム,マグネシウム,アルミニウム,カルシウム,ストロンチウム,バリウム,ラジウム,トリウム化合物または希土類金属化合物
7アルミニウム化合物
02酸化アルミニウム;水酸化アルミニウム;アルミン酸塩
30アルミニウム化合物の熱分解による酸化アルミニウムまたは水酸化アルミニウムの製造
C01G 9/02 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
GサブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
9亜鉛化合物
02酸化物;水酸化物
H01L 21/283 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
H01L 21/288 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
CPC
C01F 7/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
7Compounds of aluminium
02Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
C23C 18/1216
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
12characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
1204inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
1208Oxides, e.g. ceramics
1216Metal oxides
C23C 18/125
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
12characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
125Process of deposition of the inorganic material
H01L 21/02172
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02172the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
H01L 21/02178
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02172the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
02175characterised by the metal
02178the material containing aluminium, e.g. Al2O3
H01L 21/02205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
出願人
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区有楽町一丁目12番1号 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331, JP
発明者
  • 中積 誠 NAKAZUMI Makoto; JP
  • 西 康孝 NISHI Yasutaka; JP
代理人
  • 特許業務法人 湘洋内外特許事務所 SHOYO INTELLECTUAL PROPERTY FIRM; 神奈川県横浜市西区北幸二丁目15-1 東武横浜第2ビル6階 6F Tobu Yokohama 2ND Bldg., 15-1 Kitasaiwai 2-Chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2200004, JP
優先権情報
2013-16424807.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE FILM AND METHOD FOR PRODUCING TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM À BASE D'OXYDE MÉTALLIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR
(JA) 金属酸化物膜の製造方法、及びトランジスタの製造方法
要約
(EN)
In order to provide a technology which makes it possible to efficiently obtain a metal oxide film having good adhesion properties, this method for producing a metal oxide film is characterized by being provided with: a coating step for coating a substrate with a solution containing an organic metal complex; an ozone exposure step for exposing the obtained coated film to ozone; and a heating step for heating the coated film.
(FR)
Pour pourvoir à une technique permettant d'obtenir avec efficacité un film à base d'oxyde métallique ayant de bonnes propriétés d'adhérence, le procédé de production d'un film à base d'oxyde métallique selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de revêtement consistant à revêtir un substrat avec une solution contenant un complexe métallique organique ; une étape d'exposition à l'ozone consistant à exposer le film revêtu obtenu à l'ozone ; et une étape de chauffage consistant à chauffer le film revêtu.
(JA)
 効率的に密着性のよい金属酸化物膜を得る技術を提供することを目的とする。 本発明における金属酸化物膜の製造方法は、有機金属錯体を含む溶液を基板に塗布する塗布工程と、得られた塗膜をオゾンに暴露するオゾン暴露工程と、前記塗膜を加熱する加熱工程と、を備えることを特徴とする。
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