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1. WO2015019677 - 半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2015/019677
公開日 12.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/063565
国際出願日 22.05.2014
予備審査請求日 20.10.2014
IPC
B23K 20/00 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
B23K 20/18 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
18接合すべきでない区域間に接合防止物質をそう入することによる部分接合
H01L 21/52 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52容器中への半導体本体のマウント
CPC
B23K 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
20Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
B23K 20/18
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
20Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
18Zonal welding by interposing weld-preventing substances between zones not to be welded
H01L 2224/29111
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
29of an individual layer connector
29001Core members of the layer connector
29099Material
291with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
29101the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
29111Tin [Sn] as principal constituent
H01L 2224/32225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
321Disposition
32151the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
32221the body and the item being stacked
32225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
H01L 2224/83191
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
83using a layer connector
8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
83191wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
H01L 2224/83385
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
83using a layer connector
8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
83385Shape, e.g. interlocking features
出願人
  • 日産自動車株式会社 NISSAN MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市神奈川区宝町2番地 2, Takara-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210023, JP
発明者
  • 宮本 健二 MIYAMOTO, Kenji; JP
  • 中川 成幸 NAKAGAWA, Shigeyuki; JP
  • 南部 俊和 NANBU, Toshikazu; JP
代理人
  • 的場 基憲 MATOBA, Motonori; 東京都文京区本郷1-30-17 M・Rビル3階 的場国際特許事務所内 c/o Matoba International Patent Office, MR Building 3F, 30-17, Hongo 1-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
優先権情報
2013-16649009.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約
(EN)
At the time of bonding a wiring metal (2), which is formed of high purity Al, and a semiconductor chip (3) by providing recesses and projections (R) on a bonding surface of the semiconductor chip (3), said bonding surface being formed of a metal (A) (Al, Ag or the like) and/or on a bonding surface of the wiring metal (2), and by generating eutectic reaction between an insertion material, which is provided between the bonding surfaces, and the bonding materials to be bonded, a metallic atom diffusion prevention layer (L) formed of Ni, TiN, WN or the like is previously formed on a surface of the bonding surface of the wiring metal (2).
(FR)
La présente invention concerne, au moment de la liaison d'un métal de câblage (2), qui est formé d'Al à pureté élevée et d'une puce à semi-conducteurs (3) en fournissant des renfoncements et des parties saillantes (R) sur une surface de liaison de la puce à semi-conducteurs (3), ladite surface de liaison étant formée d'un métal (A) (Al, Ag ou similaires) et/ou sur une surface de liaison du métal de câblage (2) et en générant une réaction eutectique entre un matériau d'insertion, qui est ménagé entre les surfaces de liaison et les matériaux de liaison à lier, une couche de prévention de diffusion d'atome métallique (L) formée de Ni, TiN, WN ou similaires est précédemment formée sur une surface de la surface de liaison du métal de câblage (2).
(JA)
 半導体チップ3の金属A(AlやAgなど)から成る接合面と、高純度Alから成る配線金属2の接合面の少なくとも一方に凹凸Rを設けると共に、これら接合面間に介在させたインサート材と被接合材との間で共晶反応を生じさせて半導体チップ3と配線金属2を接合するに際して、配線金属2の接合面の表面に、あらかじめNiやTiN、WNなどから成る金属原子の拡散防止層Lを形成する。
他の公開
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