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1. WO2015016194 - パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス

公開番号 WO/2015/016194
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/069867
国際出願日 28.07.2014
IPC
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/038 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
038不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G03F 7/32 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
30液体手段を用いる画像様除去
32そのための液体組成物,例.現像剤
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/0046
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0046with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
G03F 7/038
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
G03F 7/0392
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者
  • 吉野 文博 YOSHINO Fumihiro; JP
代理人
  • 高松 猛 TAKAMATSU Takeshi; JP
優先権情報
2013-16164302.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PATTERN FORMATION METHOD, ACTIVE-LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
要約
(EN)
This invention provides a novel pattern formation method, and an active-light-sensitive or radiation-sensitive resin composition or the like used therein, that is completely different from conventional double-patterning techniques and allows a reduced pattern pitch using a single exposure step and a single developing step. In particular, when using a mask, a pattern having a pitch that is half the pitch of the mask or less can be formed. Specifically, a pattern formation method that has the following steps: (a) a step in which an active-light-sensitive or radiation-sensitive resin composition is used to form a film, the solubility of which in a developer increases as the film is exposed from an unexposed state but then starts decreasing once a given exposure level has been reached; (b) a step in which the film is exposed; and (c) a step in which a developer containing an organic solvent that constitutes at least 80% of the entire mass of said developer is used to develop and remove only semi-exposed sections and two patterns derived from the unexposed sections of the resist film and the exposed sections of the resist film, respectively, are formed.
(FR)
La présente invention concerne un nouveau procédé de formation de motif, ainsi qu'une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible aux rayonnements ou autre, utilisée dans ce dernier, qui est complètement différent des techniques de formation de motif double classiques et qui permet un pas de motif réduit à l'aide d'une seule étape d'exposition et d'une seule étape de développement. En particulier, lors de l'utilisation d'un masque, un motif ayant un pas qui est la moitié ou moins du pas du masque peut être formé. Plus particulièrement, l'invention concerne un procédé de formation de motif qui comprend les étapes suivantes : (a) une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible aux rayonnements est utilisée pour former un film, dont la solubilité dans un révélateur augmente lorsque le film est exposé à partir d'un état non exposé, puis commence à diminuer une fois qu'un niveau d'exposition donné a été atteint ; (b) le film est exposé ; (c) un révélateur contenant un solvant organique qui constitue au moins 80 % de la masse totale dudit révélateur est utilisé pour développer et éliminer uniquement les sections semi-exposées, et deux motifs dérivés des sections non exposées du film de réserve et des sections exposées du film de réserve, respectivement, sont formés.
(JA)
 従来のダブルパターニング法とは全く異なる新規なパターン形成方法であって、1回の露光及び1回の現像で、パターンのピッチを微細化し得るパターン形成方法、及び、これに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物等を提供する。特に、マスクを用いた場合、マスクのピッチの半分以下のピッチのパターンを形成し得る。 具体的には、下記工程(ア)~(ウ)を有するパターン形成方法である。(ア)未露光状態から露光量が増えるにつれ現像液に対する溶解度が増大していくが、ある露光量以上になると前記溶解度が減少していく膜を感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成する工程、(イ)上記膜を露光する工程、及び(ウ)現像液全量に対して有機溶剤を80質量%以上含む現像液を用いて、半露光部のみを現像除去し、未露光部及び露光部のレジスト膜に由来する2つのパターンを形成する工程。
他の公開
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