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1. WO2015016098 - エピタキシャル膜形成用配向基板及びその製造方法

公開番号 WO/2015/016098
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/069318
国際出願日 22.07.2014
IPC
C30B 29/22 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
16酸化物
22複合酸化物
H01B 12/06 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
12超電導またはハイパーコンダクティブの導体,ケーブルまたは伝送線路
02それらの形によって特徴づけられるもの
06基板上または芯上の導体膜または導線
H01B 13/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13導体またはケーブルの製造に特に適合した装置または方法
CPC
C23C 28/023
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
28Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
02only coatings ; only including layers; of metallic material
023only coatings of metal elements only
C25D 3/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
3Electroplating: Baths therefor
02from solutions
12of nickel or cobalt
C25D 3/50
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
3Electroplating: Baths therefor
02from solutions
50of platinum group metals
C25D 5/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
5Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
10Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
12at least one layer being of nickel or chromium
C25D 7/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
7Electroplating characterised by the article coated
C30B 19/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
12characterised by the substrate
出願人
  • 田中貴金属工業株式会社 TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006422, JP
発明者
  • 鹿島 直二 KASHIMA, Naoji; JP
  • 渡部 智則 WATANABE, Tomonori; JP
  • 長屋 重夫 NAGAYA, Shigeo; JP
  • 嶋 邦弘 SHIMA, Kunihiro; JP
  • 窪田 秀一 KUBOTA, Shuichi; JP
  • 菅沼 亮佑 SUGANUMA, Ryosuke; JP
代理人
  • 特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ TANAKA AND OKAZAKI; 東京都文京区本郷3丁目30番10号 本郷K&Kビル Hongo K&K Bldg., 30-10, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
優先権情報
2013-16023001.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ORIENTED SUBSTRATE FOR USE IN FORMATION OF EPITAXIAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT ORIENTÉ UTILISABLE DANS LE CADRE DE LA FABRICATION D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) エピタキシャル膜形成用配向基板及びその製造方法
要約
(EN)
The present invention is an oriented substrate for use in the formation of an epitaxial film, which has an oriented metal layer formed on at least one surface thereof, said oriented substrate being characterized in that the oriented metal layer comprises a copper layer having a cube texture, palladium is adhered on the surface of the oriented metal layer in an amount of 10 to 300 ng/mm2 per unit area of the surface, and the hydrogen content in the surface of the oriented metal layer is 700 to 2000 ppm. The oriented substrate is produced through a step of adhering palladium on the surface of a copper layer having a cube texture in an amount of 10 to 300 ng/mm2 per unit area of the surface by a strike plating method.
(FR)
La présente invention concerne un substrat orienté utilisable dans le cadre de la fabrication d'une couche épitaxiale et comportant une couche métallique orientée déposée sur au moins l'une de ses surfaces, ledit substrat orienté étant caractérisé en ce que la couche métallique orientée comporte une couche de cuivre de texture cubique, en ce que du palladium est collé sur la surface de la couche métallique orientée à hauteur de 10 à 300 ng/mm2 et en ce que la teneur en hydrogène au niveau de la surface de la couche métallique orientée varie de 700 à 2 000 ppm. Le procédé de production dudit substrat orienté comprend une étape consistant à faire adhérer, par un procédé de galvanoplastie, du palladium à la surface d'une couche de cuivre de texture cubique à hauteur de 10 à 300 ng/mm2.
(JA)
 本発明は、少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板において、前記配向化金属層は、立方体集合組織を有する銅層からなり、前記配向化金属層の表面上に単位面積当り10~300ng/mmのパラジウムが付加されており、前記配向化金属層の表面における水素含有量が700~2000ppmであることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。この配向基板は、立方体集合組織を有する銅層の表面に、ストライクめっき法により単位面積当り10~300ng/mmのパラジウムを付加する工程を経て製造される。
他の公開
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