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1. WO2015016061 - 磁気抵抗素子および磁気メモリ

公開番号 WO/2015/016061
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/068818
国際出願日 15.07.2014
IPC
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
H01L 21/8246 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8246リードオンリーメモリ構造(ROM)
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 43/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10材料の選択
CPC
H01L 27/228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228of the field-effect transistor type
H01L 43/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Details
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
H01L 43/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
10Selection of materials
出願人
  • 株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP
  • 国立大学法人東北大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
発明者
  • 加藤 侑志 KATO Yushi; JP
  • 大坊 忠臣 DAIBOU Tadaomi; JP
  • 北川 英二 KITAGAWA Eiji; JP
  • 落合 隆夫 OCHIAI Takao; JP
  • 伊藤 順一 ITO Junichi; JP
  • 窪田 崇秀 KUBOTA Takahide; JP
  • 水上 成美 MIZUKAMI Shigemi; JP
  • 宮▲崎▼ 照宣 MIYAZAKI Terunobu; JP
代理人
  • 勝沼 宏仁 KATSUNUMA Hirohito; JP
優先権情報
2013-16182302.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT À MAGNÉTORÉSISTANCE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗素子および磁気メモリ
要約
(EN)
[Problem] To provide: a magnetoresistive element which has low saturation magnetization and high perpendicular magnetic anisotropy; and a magnetic memory. [Solution] A magnetoresistive element which is provided with a first magnetic layer, a second magnetic layer and a first non-magnetic layer that is arranged between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The first magnetic layer is provided with a magnetic film that contains Mn, Ga and at least one element that is selected from the group consisting of Al, Ge, Ir, Cr, Pt, Ru, Pd, Rh, Ni, Fe, Re, Au, Cu, B, C, P, Gd, Tb and Dy.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de pourvoir à : un élément à magnétorésistance qui présente une faible aimantation à saturation et une anisotropie magnétique perpendiculaire élevée ; et à une mémoire magnétique. La solution selon l'invention porte sur un élément à magnétorésistance qui est pourvu d'une première couche magnétique, d'une seconde couche magnétique et d'une première couche non magnétique qui est agencée entra la première couche magnétique et la seconde couche magnétique. La première couche magnétique est pourvue d'un film magnétique qui contient Mn, Ga et au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Al, Ge, Ir, Cr, Pt, Ru, Pd, Rh, Ni, Fe, Re, Au, Cu, B, C, P, Gd, Tb et Dy.
(JA)
【課題】低飽和磁化かつ高垂直磁気異方性を有する磁気抵抗素子および磁気メモリを提供する。 【解決手段】第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を備え、前記第1磁性層は、Mnと、Gaと、Al、Ge、Ir、Cr、Pt、Ru、Pd、Rh、Ni、Fe、Re、Au、Cu、B、C、P、Gd、Tb、およびDyの群から選択される少なくとも1つの元素と、を含む磁性膜を備えている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報