処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2015016027 - 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物

公開番号 WO/2015/016027
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/068367
国際出願日 09.07.2014
IPC
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
C08F 220/10 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10エステル
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/0046
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0046with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
G03F 7/2041
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
2041in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者
  • 浅野 裕介 ASANO Yusuke; JP
  • 望田 憲嗣 MOCHIDA Kenji; JP
代理人
  • 天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報
2013-15999631.07.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, POLYMER, AND COMPOUND
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AU RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE, POLYMÈRE, ET COMPOSÉ
(JA) 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物
要約
(EN)
Provided is a radiation-sensitive resin composition containing a radiation-sensitive acid generator and a first polymer having a first structural unit represented by formula (1). In formula (1), Z1 to Z4 each independently are a hydrogen atom, a fluorine atom, a monovalent hydrocarbon group, a monovalent fluorinated hydrocarbon group, or a monovalent group containing a divalent or greater heteroatom. R3 is a monovalent hydrocarbon group or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. However, at least one of Z1, Z2, and R3 contains a fluorine atom. Also, at least one of Z1 to Z4, ring structure (a) and ring structure (b) contains a divalent or greater heteroatom.
(FR)
L'invention concerne une composition de résine sensible au rayonnement contenant un générateur photoacide sensible au rayonnement et un premier polymère ayant une première unité structurelle représentée par la formule (1). Dans la formule (1), chacun de Z1 à Z4 est, individuellement, un atome hydrogène, un atome de fluor, un groupe hydrocarbure monovalent, un groupe hydrocarbure fluoré monovalent, ou un groupe monovalent contenant un hétéroatome divalent ou plus. R3 est un groupe hydrocarbure monovalent ou un groupe hydrocarbure fluoré monovalent. Cependant, au moins un de Z1, Z2 et R3 contient un atome de fluor. De la même façon, au moins un de Z1 à Z4, la structure en anneau (a) et la structure en anneau (b) contient un hétéroatome divalent ou plus.
(JA)
 本発明は、下記式(1)で表される第1構造単位を有する第1重合体、及び感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である。下記式(1)中、Z~Zは、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、1価の炭化水素基、1価のフッ素化炭化水素基又は2価以上のヘテロ原子を含む1価の基である。Rは、1価の炭化水素基又は1価のフッ素化炭化水素基である。但し、Z、Z及びRの少なくともいずれかはフッ素原子を含む。また、Z~Z、環構造(a)及び環構造(b)のうちの少なくともいずれかは、2価以上のヘテロ原子を含む。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報