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1. WO2015015984 - パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

公開番号 WO/2015/015984
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/067442
国際出願日 30.06.2014
IPC
G03F 7/038 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
038不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
CPC
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/0046
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0046with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
G03F 7/038
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
G03F 7/0382
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
0382the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
G03F 7/30
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
30Imagewise removal using liquid means
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者
  • 平野 修史 HIRANO Shuji; JP
  • 滝沢 裕雄 TAKIZAWA Hiroo; JP
代理人
  • 高松 猛 TAKAMATSU Takeshi; JP
優先権情報
2013-16190302.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PATTERN FORMING METHOD, ACTINIC RAY SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU À UN RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
要約
(EN)
A pattern forming method includes, in this order, a process (1) for forming a film using an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition containing a resin (Ab) which has a repeating unit represented by a general formula (Ab1) shown below, a process (2) for exposing the film, and a process (4) for forming a negative pattern by developing with a developer containing an organic solvent after exposure. Thereby, a pattern forming method which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution on forming an isolated line pattern, a favorable pattern shape, and high dry etching resistance, an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition and a resist film used for the pattern forming method, and a method for manufacturing an electronic device using the same and the electronic device are provided. [Chemical formula 1] In the general formula (Ab1), R' represents a hydrogen atom, alkyl group, or halogen atom; L1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and L1 and Ar1 may be coupled with each other to form a ring wherein L1 represents an alkylene group or a carbonyl group; Ar1 represents an aromatic ring group with a valence of (p + q + 1); L represents a linking group with a valence of (m + 1); S1 represents an organic group; (OR1) represents a group which is dissolved by acid to generate an alcoholic hydroxy group; when multiple S1s, Ls, and R1s exist, the multiple S1s, Ls, and R1s may be respectively the same or different, and the multiple R1s may bond together to form a ring; m represents an integer of 1 or more; p represents an integer of 1 or more; and q represents an integer of 0 or more.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de formation de motif comprenant, dans l'ordre suivant, un traitement (1) de formation d'un film au moyen d'une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou à un rayonnement contenant une résine (Ab) qui présente une unité de répétition représentée par la formule générale (Ab1) présentée ci-dessous, un traitement (2) d'exposition du film, et un traitement (4) de formation d'un motif négatif par développement au moyen d'un révélateur contenant un solvant organique à la suite de l'exposition. L'invention concerne ainsi un procédé de formation de motif qui satisfait simultanément à une haute sensibilité, à une haute résolution en termes de formation d'un motif à lignes isolées, à une forme de motif avantageuse et à une haute résistance à la gravure sèche, une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou à un rayonnement ainsi qu'un film de réserve utilisé pour le procédé de formation de motif, et un procédé de fabrication d'un dispositif électronique l'utilisant, et ledit dispositif électronique. [Formule chimique 1] Dans la formule générale (Ab1), R' représente un atome d'hydrogène, un groupe alkyle ou un atome d'halogène ; L1 représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle, et L1 et Ar1 peuvent être couplés l'un à l'autre de sorte à former un cycle dans lequel L1 représente un groupe alkylène ou un groupe carbonyle ; Ar1 représente un groupe cyclique aromatique ayant une valence de (p + q + 1) ; L représente un groupe de liaison ayant une valence de (m + 1) ; S1 représente un groupe organique ; (OR1) représente un groupe qui est dissous par un acide de sorte à générer un groupe hydroxy alcoolique ; en présence de multiples S1, L et R1, les multiples S1, L et R1 peuvent être respectivement identiques ou différents, et les multiples R1 peuvent se lier les uns aux autres de sorte à former un cycle ; m représente un nombre entier supérieur ou égal à 1 ; p représente un nombre entier supérieur ou égal à 1 ; et q représente un nombre entier supérieur ou égal à 0.
(JA)
 下記一般式(Ab1)で表される繰り返し単位を有する樹脂(Ab)を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、前記膜を露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行い、ネガ型パターンを形成する工程(4)をこの順序で含むパターン形成方法により、高感度、孤立ラインパターン形成時における高い解像力、良好なパターン形状、並びに、高いドライエッチング耐性を同時に満足するパターン形成方法、これに供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。 一般式(Ab1)中、 R'は水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。 Lは水素原子又はアルキル基を表し、LとArとが連結して環を形成しても良く、その場合、Lはアルキレン基又はカルボニル基を表す。 Arは(p+q+1)価の芳香環基を表す。 Lは(m+1)価の連結基を表す。 Sは有機基を表す。 (OR)は、酸の作用により分解してアルコール性水酸基を生じる基を表す。 S、L及びR1が複数存在する場合、複数のS、L及びR1は、それぞれ同一であっても異なっていても良く、複数のRは互いに結合して環を形成してもよい。 mは1以上の整数を表す。 pは1以上の整数を表し、qは0以上の整数を表す。
他の公開
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