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1. WO2015015979 - 半導体装置の製造方法、及び、封止用シート

公開番号 WO/2015/015979
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/067389
国際出願日 30.06.2014
IPC
H01L 23/29 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
C09K 3/10 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
10ジョイントまたはカバーを,シールまたはパッキングするためのもの
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H01L 23/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 23/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
31配列に特徴のあるもの
CPC
B32B 2305/72
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2305Condition, form or state of the layers or laminate
72Cured, e.g. vulcanised, cross-linked
B32B 2307/20
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2307Properties of the layers or laminate
20having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
B32B 2307/202
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2307Properties of the layers or laminate
20having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
202Conductive
B32B 2457/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2457Electrical equipment
B32B 2457/14
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2457Electrical equipment
14Semiconductor wafers
B32B 27/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
27Layered products comprising ; a layer of; synthetic resin
出願人
  • 日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 1-1-2,Shimohozumi,Ibaraki-shi, Osaka 5678680, JP
発明者
  • 志賀 豪士 SHIGA, Goji; JP
  • 盛田 浩介 MORITA, Kosuke; JP
  • 飯野 智絵 IINO, Chie; JP
  • 石坂 剛 ISHIZAKA, Tsuyoshi; JP
代理人
  • 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所 UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; JP
優先権情報
2013-16026001.08.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEALING SHEET
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET FEUILLE D'ÉTANCHÉITÉ
(JA) 半導体装置の製造方法、及び、封止用シート
要約
(EN)
This production method for a semiconductor device is provided with: a step (A) for preparing a stacked body in which a semiconductor chip is fixed upon a support body; a step (B) for preparing a sealing sheet provided with a hard layer having a minimum melt viscosity at 25-200˚C of at least 10000 Pa∙s, and an embedding resin layer having a minimum melt viscosity at 25-200 ˚C within the range of 50-9000 Pa∙s; a step (C) in which the semiconductor chip is embedded in the embedding resin layer of the sealing sheet to form a sealed body in which the semiconductor chip is embedded in the sealing sheet; and a step (D) which is performed after step (C), and in which the sealing sheet is thermally cured.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur comprenant : une étape (A) de préparation d'un corps empilé dans lequel une puce semi-conductrice est fixée sur un corps de support ; une étape (B) de préparation d'une feuille d'étanchéité pourvue d'une couche dure ayant une viscosité à chaud minimale, entre 25 et 200 °C, d'au moins 10000 Pa∙s, et une couche de résine d'intégration ayant une viscosité à chaud minimale entre 25 et 200 °C comprise dans la plage de 50 à 9000 Pa∙s ; une étape (C) durant laquelle la puce semi-conductrice est intégrée dans la couche de résine d'intégration de la feuille d'étanchéité pour former un corps étanche dans lequel la puce semi-conductrice est intégrée dans la feuille d'étanchéité ; et une étape (D) qui est exécutée après l'étape (C), et durant laquelle la feuille d'étanchéité est durcie à chaud.
(JA)
 半導体チップが支持体上に固定された積層体を準備する工程Aと、25℃~200℃における最低溶融粘度が10000Pa・s以上の硬質層と25℃~200℃における最低溶融粘度が50Pa・s~9000Pa・sの範囲内にある埋め込み用樹脂層とを有する封止用シートを準備する工程Bと、半導体チップを封止用シートの埋め込み用樹脂層に埋め込み、半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Cと工程Cの後、封止用シートを熱硬化させる工程Dとを有する半導体装置の製造方法。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報