処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2015015953 - 誘電体薄膜材料および可変容量素子

公開番号 WO/2015/015953
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/066605
国際出願日 24.06.2014
IPC
H01G 7/06 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Gコンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
7機械的でない手段によって容量を変えるコンデンサ;その製造方法
06与えられる電圧によって誘電率が変化するように選択された誘電体をもつもの,すなわち強誘電性コンデンサ
CPC
H01G 7/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
7Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
06having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者
  • 廣瀬 左京 HIROSE, Sakyo; JP
代理人
  • 小柴 雅昭 KOSHIBA, Masaaki; JP
優先権情報
2013-15752930.07.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DIELECTRIC THIN FILM MATERIAL AND VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT
(FR) MATÉRIAU DE COUCHE MINCE DIÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT À CAPACITÉ VARIABLE
(JA) 誘電体薄膜材料および可変容量素子
要約
(EN)
Provided is a dielectric thin film material which has a low dielectric constant that is greatly changed by means of a voltage, and which has a small leakage current. This dielectric thin film material is suitable as a material for a dielectric thin film that is provided in a variable capacitance element. A dielectric thin film material which is represented by chemical formula YMn1-xMxO3 (wherein M represents Al and/or Ga and x satisfies 0.05 ≤ x ≤ 0.3). This dielectric thin film material is advantageously used as a material that constitutes a dielectric thin film (4) in a variable capacitance element (1) that is provided with the dielectric thin film (4) and at least a pair of electrodes (3, 5) for applying a voltage to the dielectric thin film (4) and obtaining a capacitance value.
(FR)
La présente invention porte sur un matériau de couche mince diélectrique qui possède une faible constante diélectrique qui varie fortement par application d'une tension, et qui présente un faible courant de fuite. Ce matériau de couche mince diélectrique est approprié comme matériau pour une couche mince diélectrique qui est placée dans un élément à capacité variable. Le matériau de couche mince diélectrique est représenté par la formule chimique YMn1-xMxO3 (dans laquelle M représente Al et/ou Ga et x satisfait 0,05 ≤ x ≤ 0,3). Ce matériau de couche mince diélectrique est avantageusement utilisé comme matériau qui constitue une couche mince diélectrique (4) dans un élément à capacité variable (1) qui est pourvu de la couche mince diélectrique (4) et d'au moins une paire d'électrodes (3, 5) pour appliquer une tension à la couche mince diélectrique (4) et obtenir une valeur de capacité.
(JA)
 低誘電率でありながら、誘電率が電圧で大きく変化し、リーク電流の小さい、可変容量素子に備える誘電体薄膜の材料として適した誘電体薄膜材料を提供する。 化学式:YMn1-x(MはAlおよびGaの少なくとも一方)で示され、xが0.05≦x≦0.3である、誘電体薄膜材料。この誘電体薄膜材料は、誘電体薄膜(4)と、この誘電体薄膜(4)に電圧を印加し、静電容量値を得るための少なくとも1対の電極(3および4)と、を備える、可変容量素子(1)において、誘電体薄膜(4)を構成する材料として有利に用いられる。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報