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1. WO2015015708 - 高周波受信回路及び絶縁型信号伝送装置

公開番号 WO/2015/015708
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/003487
国際出願日 01.07.2014
IPC
H03K 17/687 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56能動素子として半導体装置を用いるもの
687装置が電界効果トランジスタであるもの
H02J 17/00 2006.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
J電力給電または電力配電のための回路装置または方式;電気エネルギーを蓄積するための方式
17電磁波による電力給電または電力配電のための方式
H02M 1/08 2006.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
08静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
CPC
H02J 50/10
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
50Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
10using inductive coupling
H02J 50/12
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
50Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
10using inductive coupling
12of the resonant type
H03K 17/687
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
H03K 2017/6875
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
6875using self-conductive, depletion FETs
H04B 1/04
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
BTRANSMISSION
1Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
02Transmitters
04Circuits
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者
  • 永井 秀一 NAGAI, Shuichi; null
代理人
  • 藤井 兼太郎 FUJII, Kentaro; JP
優先権情報
2013-15955431.07.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HIGH-FREQUENCY RECEPTION CIRCUIT AND INSULATED SIGNAL-TRANSMISSION DEVICE
(FR) CIRCUIT DE RÉCEPTION À HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF D'ÉMISSION DE SIGNAL ISOLÉ
(JA) 高周波受信回路及び絶縁型信号伝送装置
要約
(EN)
This invention is provided with the following: an input terminal (101) and an input reference terminal (102) for accepting an input signal; an output terminal (103) and an output reference terminal (104) for outputting a pulse signal after detection; a first detection circuit (106) that detects the input signal and outputs an output signal to the output terminal and the output reference terminal; a normally-on transistor (110) that has a first terminal, a second terminal, and a control terminal, said first terminal being connected to the output terminal (103) and said second terminal being connected to the output reference terminal (104); and a second detection circuit (108) that detects the input signal and outputs a negative-voltage pulse signal, the reference point of which is the output reference terminal (104), to the control terminal of the transistor (110).
(FR)
La présente invention comporte : une borne d'entrée (101) et une borne de référence d'entrée (102) permettant d'accepter un signal d'entrée; une borne de sortie (103) et une borne de référence de sortie (104) permettant d'envoyer un signal d'impulsion après détection; un premier circuit de détection (106) qui détecte le signal d'entrée et communique un signal de sortie à la borne de sortie et à la borne de référence de sortie; un transistor (110) normalement actif qui a une première borne, une deuxième borne, et une borne de commande, ladite première borne étant connectée à la borne de sortie (103) et ladite deuxième borne étant connectée à la borne de référence de sortie (104); et un deuxième circuit de détection (108) qui détecte le signal d'entrée et communique un signal d'impulsion en tension négative, dont le point de référence est la borne de référence de sortie (104), à la borne de commande du transistor (110).
(JA)
入力信号を受け付けるための入力端子(101)及び入力基準端子(102)と、検波後のパルス信号を出力するための出力端子(103)及び出力基準端子(104)と、入力信号を検波し、出力端子及び出力基準端子に出力信号を出力する第一検波回路(106)と、出力端子(103)に接続された第1端子、出力基準端子(104)に接続された第2端子、及び、制御端子を有するノーマリオン型のトランジスタ(110)と、入力信号を検波し、出力基準端子(104)を基準としてトランジスタ(110)の制御端子に負の電圧のパルス信号を出力する第二検波回路(108)とを備える。
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