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1. WO2015015705 - ウェーハの研磨方法及びウェーハの研磨装置

公開番号 WO/2015/015705
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2014/003414
国際出願日 26.06.2014
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/34 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
34付属品
CPC
B24B 27/0023
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
27Other grinding machines or devices
0023grinding machines with a plurality of working posts
B24B 37/107
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
07characterised by the movement of the work or lapping tool
10for single side lapping
105the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
107in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
B24B 37/345
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
34Accessories
345Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者
  • 佐藤 三千登 SATO, Michito; JP
  • 上野 淳一 UENO, Junichi; JP
  • 石井 薫 ISHII, Kaoru; JP
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; JP
優先権情報
2013-15715729.07.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) WAFER POLISHING METHOD AND WAFER POLISHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE POLISSAGE DE PLAQUETTES
(JA) ウェーハの研磨方法及びウェーハの研磨装置
要約
(EN)
This invention is a wafer polishing method, namely an indexed polishing method in which a plurality of polishing heads, a plurality of platens to which polishing cloths are bonded, and a loading/unloading stage for attaching and detaching wafers to and from the polishing heads are prepared, the platens and the loading/unloading stage are arranged concentrically, and the polishing heads are rotated, thereby simultaneously polishing a plurality of wafers while switching up the platens used therefor. Said wafer polishing method is characterized in that after polishing of a wafer is interrupted by a platen switch, polishing of said wafer resumes within 15 seconds, and after a wafer is done being polished, the operation of detaching said wafer from the polishing head starts within 15 seconds. This results in a polishing method in which the characteristic haze irregularity that occurs in index polishing devices during the polishing step and between the completion of polishing and the beginning of the detachment operation can be prevented effectively.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de polissage de plaquettes, à savoir un procédé de polissage à indexage dans lequel une pluralité de têtes de polissage, une pluralité de platines auxquelles sont fixés des tissus de polissage, et un étage de chargement/déchargement permettant de fixer et de désolidariser les plaquettes des têtes de polissage sont préparés, les platines et l'étage de chargement/déchargement sont disposés de manière concentrique, et les têtes de polissage sont mises en rotation, ce qui permet de polir simultanément une pluralité de plaquettes tout en remplaçant les platines utilisées à cet effet. Ledit procédé de polissage de plaquettes est caractérisé en ce que, après l'interruption du polissage d'une plaquette du fait d'un changement de platine, le polissage de la plaquette reprend dans les 15 secondes, et après avoir effectué le polissage de la plaquette, l'opération de désolidarisation de la plaquette de la tête de polissage démarre dans les 15 secondes. Ceci permet de réaliser un procédé de polissage au cours duquel il est possible d'empêcher de manière efficace l'irrégularité de brouillard caractéristique qui se produit dans des dispositifs de polissage à indexage au cours de l'étape de polissage et entre la fin du polissage et le début de l'opération de désolidarisation.
(JA)
 本発明は、複数の研磨ヘッドと、研磨布が貼り付けられた複数の定盤と、ウェーハの研磨ヘッドへの装着又は研磨ヘッドからの剥離を行うためのローディング/アンローディングステージを準備し、複数の定盤とローディング/アンローディングステージを同心円上に配列し、研磨ヘッドを旋回移動させることによって、ウェーハの研磨に用いる定盤を切り替えながら複数のウェーハを同時に研磨するインデックス方式の研磨方法であって、定盤を切り替える際のウェーハの研磨中断後から研磨再開までの時間及びウェーハの研磨終了後から研磨ヘッドからの剥離動作開始までの時間を15秒以内とすることを特徴とするウェーハの研磨方法である。これにより、インデックス方式の研磨装置特有の研磨ステップ途中及び研磨終了後から剥離動作開始までに発生するヘイズムラを効果的に防止することができる研磨方法が提供される。
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