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1. WO2015015642 - マスクペースト組成物、これを用いて得られる半導体素子および半導体素子の製造方法

公開番号 WO/2015/015642
公開日 05.02.2015
国際出願番号 PCT/JP2013/071026
国際出願日 02.08.2013
IPC
H01L 21/22 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
H01L 21/312 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312有機物層,例.フォトレジスト
H01L 31/04 2014.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
CPC
C08K 3/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
3Use of inorganic substances as compounding ingredients
34Silicon-containing compounds
36Silica
C09D 183/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
183Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
04Polysiloxanes
H01L 21/2225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; ; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
2225Diffusion sources
H01L 21/2254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; ; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
225using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
2251Diffusion into or out of group IV semiconductors
2254from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
出願人
  • 東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
発明者
  • 旦浩一 DAN, Koichi; JP
  • 諏訪充史 SUWA, Mitsuhito; JP
  • 清水浩二 SHIMIZU, Hiroji; JP
  • 村瀬清一郎 MURASE, Seiichiro; JP
  • 藤森茂雄 FUJIMORI, Shigeo; JP
  • 藤原健典 FUJIWARA, Takenori; JP
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MASK PASTE COMPOSITION, SEMICONDUCTOR ELEMENT OBTAINED USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) COMPOSITION DE PÂTE DE MASQUAGE, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OBTENU AU MOYEN DE CELLE-CI ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) マスクペースト組成物、これを用いて得られる半導体素子および半導体素子の製造方法
要約
(EN)
Provided is a mask paste composition having superior cracking resistance and masking properties in a post-application impurity dispersion step, superior patterning properties during application, and superior pre-curing storage stability of the solution by means of a mask paste composition characterized by comprising (a) a specific polysiloxane, (b) silica particles having an average particle size of no greater than 150 nm, and (c) a solvent having a boiling point of at least 130°C, the weight average molecular weight of (a) the polysiloxane being at least 1000, the silica particles in the solid fraction of the composition being 20-70 wt% inclusive, and the P, B, and Al concentrations in the entire composition each being no greater than 20 ppm.
(FR)
L'invention concerne une composition de pâte de masquage présentant des propriétés supérieures de masquage et de résistance au craquelage dans une étape de dispersion d'impuretés après application, des propriétés supérieures de formation de motif pendant l'application et une stabilité supérieure au stockage de la solution avant traitement. Ladite composition de pâte de masquage est caractérisée en ce qu'elle comprend (a) un polysiloxane spécifique, (b) des particules de silice présentant une taille moyenne des particules de 150 nm au maximum et (c) un solvant présentant un point d'ébullition d'au moins 130° C, la masse moléculaire moyenne en poids du polysiloxane (a) étant d'au moins 1000, les particules de silice présentes dans la fraction solide de la composition représentant 20-70 % en poids inclus, et les concentrations de P, B et Al de la composition totale étant chacune de 20 ppm au maximum.
(JA)
  (a)特定のポリシロキサン、(b)平均粒子径150nm以下のシリカ粒子、(c)沸点130℃以上の溶剤を含有してなり、(a)ポリシロキサンの重量平均分子量が1000以上であり、組成物固形分中のシリカ粒子が20重量%以上70重量%以下であり、全組成物中のP、BおよびAl濃度がそれぞれ20ppm以下であることを特徴とするマスクペースト組成物により、硬化前の溶液の保存安定性、塗布時のパターニング性に優れ、塗布後の不純物拡散工程におけるマスク性、耐クラック性に優れるマスクペースト組成物を提供する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報