(EN) The present invention provides a semiconductor device wherein the current drive capacities of transistors that are arranged in adjacent active regions can be improved without having the operations of the transistors arranged in the adjacent active regions interfere with each other. This semiconductor device comprises: first and second transistors (31-1, 31-2) that are arranged in a first active region (19-1) and have first and second word lines (74, 75); and first and second transistors (32-1, 32-2) that are arranged in the first active region (19-1) and have third and fourth word lines (98, 99). The first word line (74) that constitutes the first transistors (31-1, 32-1) is configured to be in contact with a second element isolation region (17A) or a second element isolation region (17B), and the fourth word line (99) that constitutes the second transistors (31-2, 32-2) is configured to be in contact with the second element isolation region (17B) or a second element isolation region (17C).
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur, les capacités de production de courant de transistors disposés dans des zones actives adjacentes pouvant être améliorées sans que les opérations des transistors disposés dans les zones actives adjacentes n'interfèrent les unes avec les autres. Ce dispositif à semi-conducteur comprend : des premier et second transistors (31-1, 31-2) disposés dans une première zone active (19-1) et présentant des première et deuxième lignes de mots (74, 75) ; et des premier et second transistors (32-1, 32-2) disposés dans la première zone active (19-1) et présentant des troisième et quatrième lignes de mots (98, 99). La première ligne de mots (74) constituant les premiers transistors (31-1, 32-1) est conçue pour être en contact avec une seconde zone d'isolation d'élément (17A) ou une seconde zone d'isolation d'élément (17B), et la quatrième ligne de mots (99) constituant les seconds transistors (31-2, 32-2) est conçue pour être en contact avec la seconde zone d'isolation d'élément (17B) ou une seconde zone d'isolation d'élément (17C).
(JA) 本発明は、隣接する活性領域に配置されるトランジスタの動作が干渉することなく、隣接する活性領域に配置されたトランジスタの電流駆動能力を向上させることの可能な半導体装置を提供する。半導体装置は、第１の活性領域（１９－１）に配置され、かつ第１及び第２のワード線（７４，７５）を有する第１及び第２のトランジスタ（３１－１，３１－２）と、第１の活性領域（１９－１）に配置され、かつ第３及び第４のワード線（９８，９９）を有する第１及び第２のトランジスタ（３２－１，３２－２）と、を有し、第１のトランジスタ（３１－１，３２－１）を構成する第１のワード線（７４）と第２の素子分離領域（１７Ａ）または第２の素子分離領域（１７Ｂ）とを接触させ、第２のトランジスタ（３１－２，３２－２）を構成する第４のワード線（９９）と第２の素子分離領域（１７Ｂ）または第２の素子分離領域（１７Ｃ）とを接触させる。
