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1. (WO2014174953) 光電変換素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/174953    国際出願番号:    PCT/JP2014/057830
国際公開日: 30.10.2014 国際出願日: 20.03.2014
IPC:
H01L 31/0749 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: KAGA Hiroshi; (JP)
代理人: WATANABE Mochitoshi; Yusen Iwamoto-cho Bldg. 6F., 3-3, Iwamoto-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032 (JP)
優先権情報:
2013-092613 25.04.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子の製造方法
要約: front page image
(EN)The following steps are used to form a photoelectric conversion layer on a substrate in a single substrate-conveyance operation: a first step in which, as the substrate is heated and conveyed, a first compound semiconductor layer containing indium, gallium, and selenium is formed; a second step in which copper and selenium are evaporated onto the first compound semiconductor layer so as to convert said first compound semiconductor layer into a second compound semiconductor layer that contains copper, indium, gallium, and selenium and has a Cu/(In+Ga) ratio of at least 1; a third step in which indium, gallium, and selenium are evaporated onto the second compound semiconductor layer so as to convert said second compound semiconductor layer into a third compound semiconductor layer that contains copper, indium, gallium, and selenium and has a Cu/(In+Ga) ratio less than 1; and a fourth step in which the third compound semiconductor layer formed in the third step is subjected to a heating/conveyance process while selenium is evaporated onto same. The aforementioned first through fourth steps are performed in a single substrate-conveyance operation.
(FR)Les étapes suivantes sont utilisées pour former une couche de conversion photoélectrique sur un substrat en une seule opération de transport de substrat : une première étape au cours de laquelle, lorsque le substrat est chauffé et transporté, une première couche semi-conductrice de composés contenant de l'indium, du gallium et du sélénium est formée ; une deuxième étape au cours de laquelle du cuivre et du sélénium sont évaporés sur la première couche semi-conductrice de composés de sorte à convertir ladite première couche semi-conductrice de composés en une deuxième couche semi-conductrice de composés qui contient du cuivre, de l'indium, du gallium et du sélénium et qui est dotée d'un rapport Cu/(In+Ga) d'au moins 1 ; une troisième étape au cours de laquelle de l'indium, du gallium et du sélénium sont évaporés sur la deuxième couche semi-conductrice de composés de sorte à convertir ladite deuxième couche semi-conductrice de composés en une troisième couche semi-conductrice de composés qui contient du cuivre, de l'indium, du gallium et du sélénium et qui est dotée d'un rapport Cu/(In+Ga) inférieur à 1 ; et une quatrième étape au cours de laquelle la troisième couche semi-conductrice de composés formée au cours de la troisième étape est soumise à un processus de chauffage/transport tandis que du sélénium est évaporé sur celle-ci. Les première à quatrième étapes susmentionnées sont effectuées en une seule opération de transport de substrat.
(JA) 光電変換層は一度の基板搬送で以下の第1の工程~第4の工程で基板上に形成される。基板を加熱搬送しつつIn、GaおよびSeを含む第1の化合物半導体層を形成する第1の工程と、第1の化合物半導体層へCuおよびSeを蒸着し、第1の化合物半導体層をCu、In、GaおよびSeを含みCu/(In+Ga)比が1以上となる第2の化合物半導体層へ転化する第2の工程と、第2の化合物半導体層へIn、GaおよびSeを蒸着し、第2の化合物半導体層をCu、In、GaおよびSeを含みCu/(In+Ga)比が1未満である第3の化合物半導体層へ転化する第3の工程と、第3の工程で形成した第3の化合物半導体層をSeを蒸着しながら加熱搬送処理する第4の工程を有する。第1の工程~第4の工程は一度の基板搬送でなされる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)