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1. (WO2014174938) 水素化アモルファスシリコン系膜を有する記憶素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2014/174938 国際出願番号: PCT/JP2014/057316
国際公開日: 30.10.2014 国際出願日: 18.03.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8247 (2006.01) ,H01L 27/115 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY[JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
発明者: HAYASHI Yutaka; JP
IKEGAMI Keiichi; JP
OHNO Yasuhide; JP
KAMIMURA Takafumi; JP
MATSUMOTO Kazuhiko; JP
優先権情報:
2013-09137424.04.2013JP
発明の名称: (EN) STORAGE ELEMENT HAVING HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON FILM
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE MUNI D'UN FILM EN SILICIUM AMORPHE HYDROGÉNÉ
(JA) 水素化アモルファスシリコン系膜を有する記憶素子
要約: front page image
(EN) As a storage means at which a favorable electron interface is formed at a low temperature, provided is a configuration such that a hydrogenated amorphous silicon film (110) is provided contacting at least a portion of the first surface of a first semiconductor region (10) having the first surface (11) and a first conductive shape, furthermore a single-layer or multi-layer first insulating film (120) is provided contacting the hydrogenated amorphous silicon film, and furthermore a first conductive film (130) is provided contacting the first insulating film.
(FR) L'invention concerne un moyen de stockage sur lequel est formée une interface électronique favorable à basse température, configure de telle manière qu'un film en silicium amorphe hydrogéné (110) est mis en contact avec au moins une partie de la première surface d'une première région semi-conductrice (10) présentant la première surface (11) et une première forme semi-conductrice. Par ailleurs, un premier film isolant monocouche ou multicouche (120) est mis en contact avec le film en silicium amorphe hydrogéné, et un premier film conducteur (130) est en outre mis en contact avec le premier film isolant.
(JA) 低温で良好な電子界面が形成される記憶手段として,第1表面(11)と第1導電形を有する第1半導体領域(10)の該第1表面の少なくとも一部に接して水素化アモルファスシリコン系膜(110)を設け,更に該水素化アモルファスシリコン系膜に接して一層または多層の第1絶縁膜(120)を設け,更に該第1絶縁膜に接して第1導電膜(130)を設けた構成を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)