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1. (WO2014174903) 炭化珪素半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/174903    国際出願番号:    PCT/JP2014/055389
国際公開日: 30.10.2014 国際出願日: 04.03.2014
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
発明者: TANAKA, So; (JP).
YAMADA, Shunsuke; (JP)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2013-093687 26.04.2013 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)In the present invention, prepared is a silicon carbide layer (10) that has a main surface (10a) and comprises a p-type region (18) and an n-type region (14) that is adjacent to the p-type region (18). On the main surface (10a), a metal layer (16) is formed that is adjacent to the p-type region (18) and the n-type region (14). The p-type region (18), the n-type region (14), and the metal layer (16) are annealed. A step for forming the metal layer (16) includes the following: a step for forming a first region (16a) that is adjacent to the p-type region (18) and the n-type region (14) on the main surface (10a); and a step for forming a second region (16b) which is disposed so as to be adjacent to a surface (16a5) of the first region (16a) which is opposite a surface (16a4) thereof that is adjacent to the main surface (10a). The first region (16a) has aluminum elements and silicon elements. The second region (16b) has titanium elements. Due to this configuration, a silicon carbide semiconductor device manufacturing method can be provided, in which a semiconductor device has an electrode for which low contact resistance can be achieved for both the p-type region and n-type region of the silicon carbide layer.
(FR)Selon la présente invention, une couche de carbure de silicium (10) est préparée qui possède une surface principale (10a) et comprend une région de type p (18) et une région de type n (14) qui est adjacente à la région de type p (18). Sur la surface principale (10a), une couche métallique (16) est formée qui est adjacente à la région de type p (18) et à la région de type n (14). La région de type p (18), la région de type n (14) et la couche métallique (16) sont recuites. Une étape pour former la couche métallique (16) comprend les étapes suivantes : une étape pour former une première région (16a) qui est adjacente à la région de type p (18) et à la région de type n (14) sur la surface principale (10a) ; et une étape pour former une seconde région (16) qui est disposée afin d'être adjacente à une surface (16a5) de la première région (16a) qui est opposée à une surface (16a4) de celle-ci qui est adjacente à la surface principale (10a) La première région (16a) possède des éléments en aluminium et des éléments en silicium. La seconde région (16b) possède des éléments en titane. En raison de cette configuration, un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs au carbure de silicium peut être fourni, dans lequel un dispositif à semi-conducteurs possède une électrode pour laquelle une faible résistance de contact peut être obtenue pour la région de type p et la région de type n de la couche de carbure de silicium.
(JA) 主面(10a)を有し、かつp型領域(18)と、p型領域(18)と接するn型領域(14)とを含む炭化珪素層(10)が準備される。主面(10a)においてp型領域(18)およびn型領域(14)に接する金属層(16)が形成される。p型領域(18)と、n型領域(14)と、金属層(16)とがアニールされる。金属層(16)を形成する工程は、主面(10a)においてp型領域(18)およびn型領域(14)に接する第1の領域(16a)を形成する工程と、第1の領域(16a)の主面(10a)と接する面と(16a4)は反対の面(16a5)に接して配置された第2の領域(16b)を形成する工程とを含む。第1の領域(16a)は、アルミニウム元素およびシリコン元素を有する。第2の領域(16b)は、チタン元素を有する。これにより、炭化珪素層のp型領域とn型領域との双方に対して低い接触抵抗を実現可能な電極を有する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)