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1. (WO2014174863) 電界効果トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/174863    国際出願番号:    PCT/JP2014/051817
国際公開日: 30.10.2014 国際出願日: 28.01.2014
IPC:
H01L 27/095 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
発明者: INA, Hiroyoshi; .
UETANI, Yoshihiro; .
KURITA, Daisuke;
代理人: SAMEJIMA, Mutsumi; AOYAMA & PARTNERS, Umeda Hankyu Bldg. Office Tower, 8-1, Kakuda-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300017 (JP)
優先権情報:
2013-089566 22.04.2013 JP
発明の名称: (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)Using a channel layer, a carrier supply layer, a source electrode (4), drain electrodes (2), and gate electrodes (3), a plurality of basic transistors are formed. The outermost basic transistor surrounded by a dotted line (6) among the plurality of basic transistors is configured to be of a higher insulation resistance than the other basic transistors. As a result, by increasing insulation resistance of the basic transistor on the chip outer peripheral portion, a field effect transistor is provided that is capable of extending the life of the entire element
(FR)Grâce à l'utilisation d'une couche de canal, d'une couche d'alimentation en porteur de charge, d'une électrode de source (4), d'électrodes de drain (2) et d'électrodes de grille (3), une pluralité de transistors de base sont formés. Le transistor de base le plus à l'extérieur entouré par une ligne pointillée (6) parmi la pluralité de transistors de base est conçu pour être doté d'une plus grande résistance d'isolement par rapport aux autres transistors de base. Par conséquent, en augmentant la résistance d'isolement du transistor de base sur la partie périphérique extérieure de la puce, il est possible de fournir un transistor à effet de champ permettant de prolonger la durée de vie de la totalité de l'élément.
(JA) チャネル層、キャリア供給層、ソース電極(4)、ドレイン電極(2)およびゲート電極(3)で複数の基本トランジスタを形成する。上記複数の基本トランジスタのうちの点線6で囲まれた最外周の基本トランジスタは、それ以外の基本トランジスタよりも耐絶縁性を高くした構成をしている。これにより、チップ外周部分での基本トランジスタの耐絶縁性を高めることによって、素子全体での寿命を長くできる電界効果トランジスタを提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)