WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
オプション
検索言語
語幹処理適用
並び替え:
表示件数
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2014174825) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2014/174825 国際出願番号: PCT/JP2014/002229
国際公開日: 30.10.2014 国際出願日: 21.04.2014
IPC:
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.[JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者: HIRANO, Hiroshige; null
TETANI, Michinari; null
代理人: FUJII, Kentaro; c/o Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
優先権情報:
2013-09128724.04.2013JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) This semiconductor device is provided with: a first insulating film that is arranged on a semiconductor substrate; a first wiring line that is formed in the first insulating film; a rewiring line that is formed on the first insulating film and contains copper; a second insulating film that is formed on the rewiring line; a first connection part that is formed in the first insulating film and connects the first wiring line and the rewiring line with each other; and a second connection part that penetrates through the second insulating film and reaches the rewiring line. The first connection part comprises a plurality of first contacts and the size of the first contacts in the semiconductor substrate main surface direction is not more than a predetermined value that depends on the film thickness of the rewiring line.
(FR) L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comporte : un premier film isolant qui est disposé sur un substrat de semi-conducteur; une première ligne de câblage qui est formée dans le premier film isolant; une ligne de recâblage qui est formée sur le premier film isolant et contient du cuivre; un second film isolant qui est formé sur la ligne de recâblage; une première partie de connexion qui est formée sur le premier film isolant et connecte la première ligne de câblage et la ligne de recâblage l'une à l'autre; et une seconde partie de connexion qui pénètre à travers le second film isolant et atteint la ligne de recâblage La première partie de connexion comprend une pluralité de premiers contacts et la taille des premiers contacts dans la direction de surface principale de substrat de semi-conducteur n'est pas supérieure à une valeur prédéterminée qui dépend de l'épaisseur de film de la ligne de recâblage.
(JA) 半導体装置は、半導体基板上に設けられた第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜中に形成された第1の配線と、第1の絶縁膜上に形成され、銅を含む再配線と、再配線上に形成された第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜中に形成され、第1の配線と再配線とを接続する第1の接続部と、第2の絶縁膜を貫通して再配線に達する第2の接続部とを備える。第1の接続部は、複数の第1のコンタクトを含み、第1のコンタクトにおける半導体基板の主面方向の寸法は、再配線の膜厚に依存する所定の値以下である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)