WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

World Intellectual Property Organization
1. (WO2014174613) 太陽電池の製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/174613    国際出願番号:    PCT/JP2013/062081
国際公開日: 30.10.2014 国際出願日: 24.04.2013
H01L 31/04 (2014.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: KOHATA, Hayato; (JP)
代理人: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
(JA) 太陽電池の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for producing a solar cell that has diffusion layers of different conductivity types on the front surface and the back surface of a semiconductor substrate, wherein the method includes the following: a step for forming a diffusion protective mask containing impurities, so as to cover at least a partial region of the semiconductor substrate; and a diffusion step in which, with at least the partial portion of the semiconductor substrate being covered by the diffusion protective mask containing impurities, the diffusion step which includes thermal processing is carried out, and a first impurity diffusion layer is formed in a first region that is covered by the diffusion protective mask, and a second impurity diffusion layer having an impurity concentration or conductivity different from that of the diffusion protective mask is formed in a second region that is exposed from the diffusion protective mask.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production de cellule solaire comportant des couches de diffusion de différents types de conductivité sur la surface avant et sur la surface arrière d'un substrat semi-conducteur. Le procédé comprend les étapes suivantes : une étape de formation d'un masque de protection de diffusion contenant des impuretés, de façon à couvrir au moins une région partielle du substrat semi-conducteur; et une étape de diffusion dans laquelle, au moins la partie partielle du substrat semi-conducteur étant recouverte du masque de protection de diffusion contenant des impuretés, l'étape de diffusion qui comprend un traitement thermique est réalisée, et une première couche de diffusion d'impuretés est formée dans une première région qui est recouverte du masque de protection de diffusion, et une seconde couche de diffusion d'impuretés ayant une concentration en impuretés ou une conductivité différente de celle du masque de protection de diffusion est formée dans une seconde région qui est exposée à partir du masque de protection de diffusion.
(JA) 半導体基板の表面及び裏面に異なる導電型の拡散層を有する太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の少なくとも一部の領域を被覆するように、不純物を含む拡散保護マスクを形成する工程と、前記半導体基板の少なくとも一部の領域を、不純物を含む拡散保護マスクで被覆した状態で、熱工程を含む拡散工程を実施し、前記拡散保護マスクで覆われた第1の領域に第1の不純物拡散層を形成するとともに、前記拡散保護マスクから露呈する第2の領域に、前記拡散保護マスクとは異なる不純物濃度或いは異なる導電性となる第2の不純物拡散層を形成する拡散工程を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)