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1. WO2014174352 - 露光装置

公開番号 WO/2014/174352
公開日 30.10.2014
国際出願番号 PCT/IB2014/000553
国際出願日 16.04.2014
IPC
G03F 7/20 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G01B 11/00 2006.1
G物理学
01測定;試験
B長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
11光学的手段の使用によって特徴づけられた測定装置
G02B 26/08 2006.1
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
26可動または変形可能な光学要素を用いて,光の強度,色,位相,偏光または方向を制御,例.スイッチング,ゲーティング,変調する光学装置または光学的配置
08光の方向を制御するためのもの
G03F 9/00 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
9原稿,マスク,フレーム,写真シート,表面構造または模様が作成された表面,の位置決めまたは位置合わせ,例.自動的なもの
H01L 21/027 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/70291
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70283Masks or their effects on the imaging process, e.g. Fourier masks, greyscale masks, holographic masks, phase shift masks, phasemasks, lenticular masks, multiple masks, tilted masks, tandem masks
70291Addressable masks
G03F 7/70725
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70716Stages
70725control
G03F 7/70775
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70775Position control
G03F 7/70791
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70791Large workpieces, e.g. in the shape of web or polygon
G03F 9/00
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
9Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
出願人
  • 株式会社オーク製作所 ORC MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 奥山 隆志 OKUYAMA, Takashi
代理人
  • 松浦孝  MATSUURA, Takashi
優先権情報
2013-08673017.04.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) EXPOSURE DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'EXPOSITION
(JA) 露光装置
要約
(EN) The present invention is a method for accurately detecting a pattern formation position in a maskless exposure device. This maskless exposure device is equipped with a position detection unit having first and second photosensor groups that are positioned at an incline in reverse directions to one another with respect to a first scanning direction. By controlling a plurality of optical modulating elements, scanning is carried out while projecting light of first and second position detection pattern rows on the position detection unit, thereby detecting the position. The light of first and second position detection pattern rows is inclined along the directions perpendicular to that in which first and second photosensor groups are aligned, and the pattern width in the alignment direction of the first and second photosensor groups is smaller than the photosensor width, and larger than the interval between the photosensors. Said position detection pattern is scanned above the position detection unit, and the exposure position at which the level of the brightness signal outputted from the adjoining photosensors becomes the same is detected in a time series for the first series of exposure positions and the second series of exposure positions.
(FR) La présente invention concerne un procédé de détection précise de la position de formation de motif dans un dispositif d'exposition sans masque. Le dispositif d'exposition sans masque est équipé d'une unité de détection de position ayant des premier et deuxième groupes de photodétecteurs qui sont positionnés de manière inclinée dans des directions opposées l'une à l'autre par rapport à une première direction de balayage. En contrôlant une pluralité d'éléments de modulation optique, un balayage est exécuté tout en projetant une lumière de première et deuxième rangées de motif de détection de position sur l'unité de détection de position, ce qui permet de détecter la position. La lumière des première et deuxième rangées de motif de détection de position est inclinée le long des directions perpendiculaires à celles le long desquelles sont alignés les premier et deuxième groupes de photodétecteurs, et la largeur du motif dans la direction d'alignement des premier et deuxième groupes de photodétecteurs est inférieure à la largeur des photodétecteurs, et supérieure à l'intervalle entre les photodétecteurs. Ledit motif de détection de position est balayé au-dessus de l'unité de détection de position, et la position d'exposition à laquelle le niveau du signal de luminosité émis par les photodétecteurs contigus devient identique est détectée à une série d'instants pour la première série de positions d'exposition et la deuxième série de positions d'exposition.
(JA)  本発明は、マスクレス露光装置において、正確にパターン形成位置を検出する方法である。 主走査方向に対し、それぞれ逆方向に傾斜配置された第1、第2フォトセンサ群を有する位置検出部を備え、複数の光変調素子を制御することで、当該位置検出部上に、第1及び第2位置検出パターン列の光を投影しつつ走査することで位置を検出する。 第1及び第2位置検出パターン列の光は、第1及び第2フォトセンサ群の配列垂直方向に沿ってそれぞれ傾斜し、第1及び第2フォトセンサ群の配列方向に沿った各パターン幅が、フォトセンサ幅よりも小さく、フォトセンサ間隔よりも大きいものである。 そして、位置検出部上に当該位置検出パターンを走査して、隣り合うフォトセンサから出力される輝度信号のレベルが等しくなる露光位置を、第1の一連の露光位置及び第2の一連の露光位置について時系列に検出するものである。
関連特許文献
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