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1. WO2014171497 - EUV光源装置およびEUV光発生方法

公開番号 WO/2014/171497
公開日 23.10.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/060857
国際出願日 16.04.2014
IPC
H05G 1/00 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
GX線技術
1X線管を含むX線装置;そのための回路
H01L 21/027 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
H05G 2/003
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GX-RAY TECHNIQUE
2Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
001X-ray radiation generated from plasma
003being produced from a liquid or gas
出願人
  • 学校法人関西大学 A SCHOOL CORPORATION KANSAI UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 大西 正視 ONISHI, Masami
  • ワヒード ヒューグラス Waheed, Hugrass
  • 田島 西夜 TASHIMA, Saya
代理人
  • 特許業務法人創成国際特許事務所 SATO & ASSOCIATES
優先権情報
2013-08790018.04.2013JP
2013-08790118.04.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) EUV LIGHT SOURCE APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING EUV LIGHT
(FR) APPAREIL SOURCE DE LUMIÈRE EUV ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE LUMIÈRE EUV
(JA) EUV光源装置およびEUV光発生方法
要約
(EN) The present invention provides a light source apparatus and method for further improving the generation efficiency of EUV light. Using an EUV light source apparatus (1), a "first state" and a "second state" are alternately achieved. In the "first state," plasma is generated inside a hollow body (20) using the energy of standing waves formed in a cavity resonator (10), and EUV light emitted by the plasma is discharged outside the cavity resonator (10). In the "second state," the standing waves and the plasma are caused to disappear. A magnetic field created by a magnet (300) is adjusted or set in accordance with environmental factors, such as the size of the hollow body (20), in a direction perpendicular to the direction of the magnetic field, such that the Larmor radius or Larmor frequency of the electrons composing the plasma is controlled.
(FR) La présente invention concerne un appareil source de lumière et un procédé permettant d'améliorer l'efficacité de génération de lumière EUV. Au moyen d'un appareil source de lumière EUV (1), un « premier état » et un « second état » sont atteints en alternance. Dans le « premier état », du plasma est généré à l'intérieur d'un corps creux (20) au moyen de l'énergie d'ondes stationnaires formées dans une cavité résonnante (10), et une lumière EUV émise par le plasma est déchargée à l'extérieur de la cavité résonnante (10). Dans le « second état », les ondes stationnaires et le plasma sont amenés à disparaître. Un champ magnétique créé par un aimant (300) est ajusté ou réglé en fonction de facteurs environnementaux, tels que la taille du corps creux (20), dans une direction perpendiculaire à la direction du champ magnétique, de sorte que le rayon de Larmor ou la fréquence de Larmor des électrons composant le plasma soit commandé.
(JA) EUV光の発生効率のさらなる向上を図りうる光源装置および方法を提供する。 EUV光源装置1によれば「第1状態」および「第2状態」が交互に実現される。「第1状態」において、空洞共振器10に形成された定在波のエネルギーにより中空体20の内部にプラズマを発生させ、当該プラズマが放出するEUV光を空洞共振器10の外部へ放出させる。「第2状態」では、定在波およびプラズマを消失させる。プラズマを構成する電子のラーモア半径またはラーモア周波数が、磁界方向に対して垂直な方向について中空体20のサイズ等の環境因子に応じて磁石300による磁界が調節または設定される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報